[发明专利]一种碳基压阻薄膜传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种碳基压阻薄膜传感器，其特征在于，所述碳基压阻薄膜传感器由耐磨层、传感层、绝缘层和电极层组成；

所述耐磨层、传感层和绝缘层均为碳基薄膜材料；

所述传感层为类金刚石碳膜；

所述类金刚石碳膜中sp³-C键含量为30％～50％。

2.如权利要求1所述碳基压阻薄膜传感器，其特征在于，所述传感层中sp³-C键含量为35％～45％。

3.如权利要求1所述碳基压阻薄膜传感器，其特征在于，所述绝缘层为硅、氧共掺杂的类金刚石碳膜。

4.如权利要求3所述碳基压阻薄膜传感器，其特征在于，所述绝缘层中硅的含量为10～15％，氧的含量为20～30％。

5.如权利要求1所述碳基压阻薄膜传感器，其特征在于，所述耐磨层为四面体非晶碳膜。

6.如权利要求5所述碳基压阻薄膜传感器，其特征在于，所述耐磨层中sp³-C键含量≥60％。

7.如权利要求6所述碳基压阻薄膜传感器，其特征在于，所述耐磨层中sp³-C键含量为60～80％。

8.如权利要求1所述碳基压阻薄膜传感器，其特征在于，所述传感层的厚度为200～600nm。

9.一种权利要求1～8任一项所述碳基压阻薄膜传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.在基体表面上，采用磁控溅射沉积下绝缘层；

S2.在S1中下绝缘层的基础上，采用掩饰法和磁控溅射沉积电极层；

S3.在S2中电极层的基础上，采用掩饰法和磁控溅射沉积类金刚石碳膜传感层；

S4.在S3中类金刚石碳膜传感层基础上，采用磁控溅射沉积上绝缘层；

S5.在S4中上绝缘层的基础上，采用阴极电弧沉积耐磨层，即可获得碳基压阻薄膜传感器。

10.一种权利要求1～8任一项所述碳基压阻薄膜传感器在耐磨工件传感中的应用。