[发明专利]一种石墨烯薄膜覆膜设备及其使用方法在审
申请号: | 202210372012.1 | 申请日: | 2022-04-09 |
公开(公告)号: | CN114783913A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 付永亮;薄浩 | 申请(专利权)人: | 付永亮 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/0216 |
代理公司: | 杭州寒武纪知识产权代理有限公司 33271 | 代理人: | 于金凤 |
地址: | 110094 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 薄膜 设备 及其 使用方法 | ||
1.一种石墨烯薄膜覆膜设备,包括台架(1)、机台(2)和输送带(3),所述机台(2)固定连接在台架(1)的顶端,所述输送带(3)水平安装在机台(2)的内腔,其特征在于:所述输送带(4)的外壁等距安装有隔板(4),所述机台(2)的左右两侧顶端分别固定连接有下料台(5)和上料台(6),所述机台(2)的前侧左端安装有驱动输送带(3)工作的传动机构(7),所述机台(2)的后侧左右两端分别固定连接有升降机构(8)和气泵(10),所述升降机构(8)输出端安装有覆膜机构(9),且覆膜机构(9)与气泵(10)输出端通过气管连接;
所述传动机构(7)包括:
外壳(71),固定连接于所述机台(2)的前侧左端;
阻尼停顿转轴(72),安装于所述外壳(71)的前侧右端;
第一转盘(73),键连接于所述阻尼停顿转轴(72)的外壁后端;
缺口圆盘(74),键连接于所述阻尼停顿转轴(72)的外壁,且缺口圆盘(74)后侧与第一转盘(73)的前侧安装;
圆柱销(75),安装于所述第一转盘(73)的前侧外沿,且圆柱销(75)与缺口圆盘(74)的缺口位置相对应;
第一平键轴(76),通过轴承安装于所述外壳(71)的内腔后侧中部;
槽轮(77),键连接于所述第一平键轴(76)的外壁前端,所述槽轮(77)凹槽与缺口圆盘(74)的外壁相接触,所述圆柱销(75)插接于槽轮(77)的滑道;
主动齿轮(78),键连接于所述第一平键轴(76)的外壁后端;
第二平键轴(79),通过轴承安装于所述外壳(71)的内腔后侧左端,第二平键轴(79)后端与所述输送带(3)的输入轴通过联轴器锁紧;
从动齿轮(710),键连接于所述第二平键轴(79)的外壁前端,且从动齿轮(710)与主动齿轮(78)啮合连接;
摇柄(711),安装于所述阻尼停顿转轴(72)的前端;
所述升降机构(8)包括:
机架(81),固定连接于所述机台(2)的后侧左端,机架(81)的内侧设置有滑道;
液压油缸(82),安装于所述机架(81)的顶部;
升降板(83),安装于所述液压油缸(82)的输出端,且升降板(83)插接于机架(81)的滑道内;
所述覆膜机构(9)包括:
框架(91),安装于所述升降板(83)的前端;
导轨(92),数量为两个,分别安装于所述框架(91)的左右内壁;
线性滑块(93),可前后滑动的安装于所述导轨(92)的外壁前侧;
抖动组件(94),安装于所述线性滑块(93)的内侧;
气刀(95),安装于所述抖动组件(94)的底端,且气刀(95)进气口与气泵(10)通过气管连接。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯薄膜覆膜设备,其特征在于:所述下料台(5)的上表面高度低于输送带(3)的上表面,所述上料台(6)的上表面高度高于输送带(3)的上表面。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯薄膜覆膜设备,其特征在于:所述主动齿轮(78)的齿数大于从动齿轮(710)齿数。
4.根据权利要求1所述的一种石墨烯薄膜覆膜设备,其特征在于:所述气刀(95)的长度与两个相邻的隔板(4)之间间距相同。
5.根据权利要求1所述的一种石墨烯薄膜覆膜设备,其特征在于:所述抖动组件(94)包括:
基座(941),安装于所述线性滑块(93)的内侧;
导杆(942),数量为两个,分别安装于所述基座(941)的内腔前后两侧;
滑座(943),可左右滑动的套接于所述导杆(942)的外壁;
支撑杆(944),一端安装于所述滑座(943)的上表面中心位置;
滚轮(945),安装于所述支撑杆(944)的另一端;
电机座(946),安装于所述基座(941)的顶部中心位置;
电机(947),安装于所述电机座(946)的顶端;
第二转盘(948),键连接于所述电机(947)的输出端,所述第二转盘(948)的下表面开设有滑槽(949),且滚轮(945)插入滑槽(949)内腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造