[发明专利]一种显示基板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底以及设置于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括目标晶体管，所述目标晶体管包括第一栅极层、有源层和源漏金属层，其中，所述有源层包括层叠设置的低温多晶硅层和非晶硅层，所述非晶硅层位于所述低温多晶硅层和所述源漏金属层之间，且所述源漏金属层与所述非晶硅层接触。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述目标晶体管还包括第二栅极层，所述第一栅极层的部分形成所述目标晶体管的第一栅极，所述第二栅极层的部分形成所述目标晶体管的第二栅极；

其中，所述第一栅极层和所述源漏金属层位于所述有源层的同侧，所述第二栅极层位于所述有源层远离所述第一栅极层的一侧。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述目标晶体管的第一栅极与固定信号端连接以获取固定正电位的第一控制信号。

4.如权利要求1至3中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，所述目标晶体管包括所述多个薄膜晶体管中除所述驱动晶体管之外的薄膜晶体管。

5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述目标晶体管为所述多个薄膜晶体管中的补偿晶体管和/或复位晶体管。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的显示基板。

7.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上制作有源层，其中，所述有源层包括沿远离所述衬底方向层叠制作的低温多晶硅层和非晶硅层，所述低温多晶硅层在所述衬底上的正投影覆盖所述非晶硅层在所述衬底上的正投影；

在所述有源层远离所述衬底的一侧制作第一栅极层和源漏金属层，其中，至少部分所述源漏金属层与所述非晶硅层接触。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上制作有源层之前，所述方法还包括：

在所述衬底上制作第二栅极层，其中，所述第一栅极层的部分形成目标晶体管的第一栅极，所述第二栅极层的部分形成所述目标晶体管的第二栅极，所述目标晶体管的第一栅极与固定信号端连接以获取固定正电位的第一控制信号。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上制作有源层，包括：

在所述衬底上沉积低温多晶硅材料；

在所述低温多晶硅材料上涂覆光刻胶并进行曝光和显影；

去除光刻胶去除区域的光刻胶并刻蚀所述低温多晶硅材料形成低温多晶硅层，其中，刻蚀形成低温多晶硅层之后，光刻胶保留区域的光刻胶保留；

对所述光刻胶保留区域的光刻胶曝光以使所述有源层的目标区域暴露，其中，所述目标区域包括与目标晶体管的有源层对应的区域；

在所述目标区域形成非晶硅层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，对保留的光刻胶曝光后，所述光刻胶的侧面与所述衬底之间夹角大于70度。