[发明专利]一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法在审
| 申请号： | 202210375385.4 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114561692A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 马武祥;令狐铁兵;吴彦国;胡晓亮;李战国 | 申请（专利权）人： | 麦斯克电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 郑州豫鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 41178 | 代理人： | 轩文君 |
| 地址： | 471000 河南省洛*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 改善 直径 单晶硅 生长 界面 温度梯度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：保持内热屏倾角不变，将倾斜角度与内热屏相同的外热屏和竖直方向之间的倾角减小；
S2：在外热屏底部一体设有一个由外向内且沿斜向上布置的反射斜面，该反射斜面斜向上部位与内热屏底部搭接；
S3：在内热屏与外热屏所构成的空腔内填充有保温毡。
2.根据权利要求1所述的一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法，其特征在于，所述S1中外热屏的倾斜角调整为与竖直方向夹角为5-9°。
3.根据权利要求1所述的一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法，其特征在于，所述S2中反射斜面与硅熔体界面呈20±1°夹角设置。
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