[发明专利]一种具有电流使能控制的高压线性稳压器

权利要求书

1.一种具有电流使能控制的高压线性稳压器，其特征在于，包括第一电容C1、第二电容CL、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第一高压NMOS管HM1、第二高压NMOS管HM2、第三高压NMOS管HM3、第四高压NMOS管HM4、第五高压NMOS管HM5、第一高压PMOS管HP1、第二高压PMOS管HP2、第三高压PMOS管HP3、第四高压PMOS管HP4、第五高压PMOS管HP5、第六高压PMOS管HP6、第七高压PMOS管HP7、第一齐纳管Z1、第二齐纳管Z2、第三齐纳管Z3、第四齐纳管Z4、第五齐纳管Z5、第六齐纳管Z6、第一偏置电流源IBIAS1、第二偏置电流源IBIAS2、第一使能MOS管ME1、第二使能MOS管ME2、第三使能MOS管ME3、第四使能MOS管ME4、第五使能MOS管ME5、第六使能MOS管ME6；其中，

第一高压NMOS管HM1的漏极接输入电压和第三电阻R3的一端，其栅极接第一齐纳管Z1的阴极和第三电阻R3的另一端与第四电阻R4的一端，第一高压NMOS管HM1的源极接第一齐纳管Z1的阳极、第二高压NMOS管HM2的漏极和第三高压NMOS管HM3的漏极；第三高压NMOS管HM3的栅极接第三齐纳管Z3的阴极、第四电阻R4的另一端和第四齐纳管Z4的阴极；第三齐纳管Z3的阳极接第三高压NMOS管HM3的源极；第四齐纳管Z4的阳极接第五齐纳管Z5的阴极，第五齐纳管Z5的阳极接第六齐纳管Z6的阴极，第六齐纳管Z6的阳极接地；

第二高压NMOS管HM2的栅极接第二齐纳管Z2的阴极、第四高压PMOS管HP4的漏极和第四三极管Q4的集电极；

第一高压PMOS管HP1的源极、第二高压PMOS管HP2的源极、第三高压PMOS管HP3的源极、第四高压PMOS管HP4的源极、第五高压PMOS管HP5的源极接第三高压NMOS管HM3的源极；

第三高压PMOS管HP3的栅极和第四高压PMOS管HP4的栅极接第六使能MOS管ME6的漏极；第三高压PMOS管HP3的漏极接第二高压PMOS管HP2的漏极和第三三极管Q3的集电极；第三三极管Q3的基极和集电极互连，第四三极管Q4的基极接第三三极管Q3的集电极；

第一高压PMOS管HP1的栅极和第二高压PMOS管HP2的栅极接第五使能MOS管ME5的漏极；第一高压PMOS管HP1的漏极接第六高压PMOS管HP6的漏极和第一三极管Q1的集电极；

第五高压PMOS管HP5的栅极和漏极互连，其漏极接第二三极管Q2的集电极；第二三极管Q2的基极接基准电压，其发射极接第一三极管Q1的发射极和第四高压NMOS管HM4的漏极；第四高压NMOS管HM4的栅极接第一使能MOS管ME1的漏极，第四高压NMOS管HM4的源极接地；

第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4的栅源漏互连构成保护模块，其中第四NMOS管M4的源极接第六高压PMOS管HP6的漏极，第一NMOS管M1的源极接第七高压PMOS管HP7的漏极；

第七高压PMOS管HP7的漏极与第一三极管Q1的基极之间连接有并联的第一电容C1和第一电阻R1，第一三极管Q1的基极还通过第二电阻R2后接地；

第五高压NMOS管HM5的漏极接第四高压PMOS管HP4的漏极，第五高压NMOS管HM5的栅极接第一外部控制信号，其源极接地，所述第一外部控制信号用于在上电时将第五高压管HM5的栅极拉高；

第一偏置电流源IBIAS1的输入端、第五使能MOS管ME5的源极、第六使能MOS管ME6的源极接第三高压NMOS管HM3的源极；第一偏置电流源IBIAS1的输出端接第一使能MOS管ME1的漏极和第三使能MOS管ME3的漏极；第一使能MOS管ME1的栅极和漏极互连，其源极接地；第三使能MOS管ME3的栅极和第四使能MOS管ME4的栅极接第二外部控制信号，第三使能MOS管ME3的源极接地；所述第二外部控制信号用于在输入电压欠压时将第三使能MOS管ME3和第四使能MOS管ME4关断；第四使能MOS管ME4的漏极接第五使能MOS管ME5的漏极，第四使能MOS管ME4的源极接第二偏置电流源IBIAS2的输入端，第二偏置电流源IBIAS2的输出端接地；第五使能MOS管ME5的栅极和漏极互连；第六使能MOS管ME6的栅极和漏极互连，第六使能MOS管ME6的漏极接第二使能MOS管ME2的漏极，第二使能MOS管ME2的栅极接第一使能MOS管ME1的栅极，第二使能MOS管ME2的源极接地；

第二高压NMOS管HM2的源极为线性稳压器的输出端，输出端通过第二电容CL后接地。