[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一芯片；

第二芯片；

位于第一芯片和第二芯片之间的转接板，所述转接板电连接所述第一芯片和第二芯片，所述转接板内具有有源器件，所述有源器件用于实现所述第一芯片和第二芯片连接后的功能。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片包括存储芯片。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二芯片包括逻辑芯片。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述有源器件包括分布式存储控制器件，所述分布式存储控制器件为逻辑芯片分布式调配存储芯片资源的控制中心。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述转接板的长度和宽度与所述第一芯片的长度和宽度相同。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片包括：第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面；位于第一衬底第一面上的第一器件层，所述第一器件层内具有第一器件结构；位于第一器件层上的第一金属层，所述第一金属层与所述第一器件结构电连接。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二芯片包括：第二衬底，所述第二衬底具有相对的第三面和第四面；位于第二衬底第三面上的第二器件层，所述第二器件层内具有第二器件结构；贯穿所述第二器件层和第二衬底的第二连接层，所述第二衬底通过第四面暴露出的第二连接层与所述转接板电连接；位于第二器件层上和第二连接层上的第二金属层，所述第二金属层与所述第二器件结构电连接。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述转接板包括：第三衬底，所述第三衬底具有相对的第五面和第六面；位于第三衬底第五面上的第三器件层，所述第三器件层内具有有源器件；贯穿所述第三器件层和第三衬底的第三连接层，所述第三衬底通过第六面暴露出的第三连接层与所述第一芯片的第一金属层电连接；位于第三器件层上和第三连接层上的第三金属层，所述第三金属层与所述第二芯片的第二连接层电连接。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第二金属层表面的焊接层。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一芯片；

提供第二芯片；

提供转接板，所述转接板内具有有源器件；

将所述转接板分别与所述第一芯片和第二芯片电连接，所述有源器件用于实现所述第一芯片和第二芯片连接后的功能。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一芯片包括存储芯片。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二芯片包括逻辑芯片。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有源器件包括分布式存储控制器件，所述分布式存储控制器件为逻辑芯片分布式调配存储芯片资源的控制中心。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述转接板的长度和宽度与所述第一芯片的长度和宽度相同。

15.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一芯片包括：第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面；位于第一衬底第一面上的第一器件层，所述第一器件层内具有第一器件结构；位于第一器件层上的第一金属层，所述第一金属层与所述第一器件结构电连接。