[发明专利]MEMS黑体封装用的红外滤光片及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS黑体封装用的红外滤光片，其特征在于，所述的红外滤光片包括基底材料和增透膜膜系结构，所述的增透膜膜系结构设置于所述的基底材料的两侧；

所述的增透膜膜系结构为：

Sub/0.26M1.34H0.92M1.65H1.33M1.27H1.87M0.67H3.3M1.62M1.27L1.06M3.44L0.44M/Air，其中，Sub表示基底材料，Air表示空气，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，M为四分之一波长光学厚度的ZnS膜层，L为四分之一波长光学厚度的YbF₃膜层，膜系结构中的数字为膜层厚度系数，中心波长为1000nm。

2.根据权利要求1所述的MEMS黑体封装用的红外滤光片，其特征在于，所述的增透膜膜系结构的第9层和第10层位于不同的光控点位上，所述的YbF₃膜层的两侧均为ZnS膜层。

3.根据权利要求1所述的MEMS黑体封装用的红外滤光片，其特征在于，所述的红外滤光片在红外透射波段2～15μm范围内透射率大于70%，其中高透波段2.5～12μm范围内透射率大于85%。

4.根据权利要求1所述的MEMS黑体封装用的红外滤光片，其特征在于，所述的基底材料为光学级高阻区熔单晶硅或单晶锗材料。

5.根据权利要求4所述的MEMS黑体封装用的红外滤光片，其特征在于，所述的高阻区熔单晶硅要求：电阻率≥10000Ω·cm，厚度0.4～0.5mm，波长9μm处的透射率大于51%。

6.一种权利要求1至5中任一项所述的MEMS黑体封装用的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：

（1）将双面抛光的基底材料清洗、干燥，然后装入专用夹具放置到真空室DOME工位上，并抽真空；

（2）将所述的基底材料烘烤190～210℃，并保持恒温；

（3）将所述的基底材料采用霍尔离子源离子轰击6～10分钟，气体流量15～30sccm；

（4）分别在所述的基底材料的两面按照预设的膜系结构要求的膜层厚度逐层进行增透膜膜系结构的镀制；

（5）镀制结束，待烘烤温度降至30℃时，进行破空，取出所述的红外滤光片。

7.根据权利要求6所述的MEMS黑体封装用的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）中基底材料的清洗过程为：先使用清洗剂进行超声波清洗3～5分钟，再将硅片放入纯水中超声波清洗2～3分钟，最后使用纯水喷淋1分钟，然后氮气吹干，所述的清洗剂的溶剂配比为氨水：双氧水：纯水＝5：15：80。

8.根据权利要求6所述的MEMS黑体封装用的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）中真空度为5×10^-4Pa～8×10^-4Pa。

9.根据权利要求6所述的MEMS黑体封装用的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（2）中恒温时间为100～120分钟。

10.根据权利要求6所述的MEMS黑体封装用的红外滤光片的制备方法，其特征在于，所述的步骤（3）中离子源为高纯氧气，阳极电压150～200V。