[发明专利]具有增强型抑制的声波滤波器在审
| 申请号： | 202210384708.6 | 申请日： | 2016-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114759900A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 库尔特·F·赖恩;格雷戈里·L·海伊-希普顿 | 申请（专利权）人： | 谐振公司 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64;H03H9/60;H03H9/56;H03H9/54 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 增强 抑制 声波 滤波器 | ||
1.一声学滤波器包括：
一压电层；
一声学谐振器结构，其整体设置在所述压电层上，其中该声学谐振器结构包括第一声学谐振器结构和第二声学谐振器结构；
一集总电容结构，其整体设置在所述压电层上并且并联电耦合所述声学谐振器结构，其中该集总电容结构包括第一集总电容结构和第二集总电容结构；
一金属化信号平面，其整体设置在所述压电层上，其中该金属化信号平面包括一输入信号平面部分和一输出信号平面部分；
一金属化接地平面，其整体设置在所述压电层上；
其中所述第一声学谐振器结构和第一集总电容结构电耦合在输入信号平面部分和输出信号平面部分之间，所述第二声学谐振器结构和第二集总电容结构电耦合在金属化信号平面和金属化接地平面之间。
2.根据权利要求1所述的声学滤波器，其特征在于，所述第一声学谐振器结构或所述第二声学谐振器结构中的一个直接连接到所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个上。
3.根据权利要求1所述的声学滤波器，其特征在于，所述第一集总电容结构或所述第二集总电容结构中的一个直接连接到所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个上。
4.根据权利要求1所述的声学滤波器，其特征在于，所述声学谐振器结构包括平面叉指式谐振器指状物的布置，并且所述集总电容结构包括平面叉指式电容指状物的布置。
5.根据权利要求4所述的声学滤波器，其特征在于，所述叉指式电容指状物和所述叉指式谐振器指状物彼此正交。
6.根据权利要求1所述的声学滤波器，其特征在于，所述压电层是一压电基片。
7.根据权利要求1所述的声学滤波器，其特征在于，还包括一非压电基片，其中所述压电层整体布置在所述非压电基片上。
8.根据权利要求7所述的声学滤波器，其特征在于，所述压电层是一薄膜压电体。
9.根据权利要求1所述的声学滤波器，其特征在于，所述声学谐振器结构部分地或完全地嵌套在所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个内。
10.根据权利要求1所述的声学滤波器，其特征在于，所述集总电容结构部分地嵌套在所述金属化信号平面和所述金属化接地平面中的一个内。
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