[发明专利]一种富Sb的二元相变神经元基质材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202210387143.7 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114933330A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王国祥;朱晋毅;陈益敏;沈祥 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C01G30/00 | 分类号： | C01G30/00;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35;H01L45/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sb 二元 相变 神经元 基质 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种富Sb的二元相变神经元基质材料，其特征在于：该相变神经元基质材料由硫和锑两种元素组成的混合物，其化学结构式为SbxS100-x，其中80x90at.%。
2.根据权利要求1所述的一种富Sb的二元相变神经元基质材料，其特征在于：所述的相变神经元基质材料的化学结构式为Sb88.9S11.1。
3.根据权利要求1所述的一种富Sb的二元相变神经元基质材料，其特征在于：所述的相变神经元基质材料的化学结构式为Sb81.7S18.3。
4.根据权利要求1所述的一种富Sb的二元相变神经元基质材料，其特征在于：所述的二元相变神经元基质材料由金属Sb单质靶和Sb2S3合金靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶共溅射获得。
5.根据权利要求1所述的一种富Sb的二元相变神经元基质材料的制备方法，其特征在于：利用磁控溅射镀膜系统，采用双靶共溅射方法制备获得，具体包括下述步骤：
（1）将石英片和硅片衬底材料放入去离子水和无水乙醇中超声清洗后取出，随后用高纯度氮气吹干以作为镀膜衬底备用；
（2）在磁控溅射镀膜系统中，将合金Sb2S3靶材安装在磁控射频溅射靶中，将单质Sb靶材安装在磁控直流溅射靶中；
（3）打开机械泵，待真空度达到1.5×10-1Pa以下时，打开分子泵直至抽真空至5.0×10-5Pa以下；
（4）然后控制合金Sb2S3靶的溅射功率为20-27W，单质Sb靶的溅射功率为50W，通入溅射气体氩气，流量控制为16SCCM，溅射气压控制为0.2Pa；
（5）用镀膜监控程序进行镀膜，通过控制Sb2S3靶材溅射功率改变溅射厚度，溅射时间控制为660s，镀膜结束后，即得到沉积态的富Sb的二元相变神经元基质材料，其化学结构式为SbxS100-x，其中80x90at.%。
6.根据权利要求5所述的一种富Sb的二元相变神经元基质材料的制备方法，其特征在于：所述的Sb2S3靶材纯度为99.99%，所述的Sb靶材的纯度为99.9%。
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