[发明专利]一种薄膜表面沉铜用高稳定镀液及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210387563.5 申请日: 2022-04-14
公开(公告)号: CN114703469A 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 姚玉 申请(专利权)人: 江苏矽智半导体科技有限公司
主分类号: C23C18/40 分类号: C23C18/40;C08G77/452
代理公司: 北京广溢知识产权代理有限公司 16001 代理人: 李枝玲
地址: 226000 江苏省南通*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 表面 沉铜用高 稳定 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜表面沉铜用高稳定镀液,由无水硫酸铜、甲醛、改性超支化络合剂、二甲苯、纯水、2,2'-联吡啶和2-巯基苯并噻唑混合,并用氢氧化钠调节pH制得,其特征在于,所述改性超支化络合剂是由超支化络合剂和单端含氢硅油反应制得,所述超支化络合剂是由丙烯酸甲酯和二乙烯三胺反应制得预聚体,将1-氨基-5-己烯和预聚体进行初步聚合,再加入预聚体进行支化聚合制得;所述单端含氢硅油是由甲基二硅氧烷和八甲基环四硅氧烷反应制得。

2.一种薄膜表面沉铜用高稳定镀液的制备方法,其特征在于,所述薄膜表面沉铜用高稳定镀液的制备方法包括以下制备步骤:

(1)将1-氨基-5-己烯和预聚体按质量比1:2~1:3混合均匀,在50~60℃,800~1000r/min搅拌40~50min,再加入1-氨基-5-己烯质量6~8倍的预聚体,保持温度不变继续搅拌反应40~50min,在40~50℃,1~2kPa静置3~5h,再将温度升至100~140℃,继续反应2~3h,制得超支化络合剂;

(2)在氮气氛围中,将单端含氢硅油和超支化络合剂按质量比1:2~1:3混合均匀,再加入单端含氢硅油质量0.003~0.005倍的催化剂,在70~80℃,500~800r/min搅拌10~15min,再升温至100~110℃继续搅拌8~12h,在40~50℃,1~2kPa静置8~10h,制得改性超支化络合剂;

(3)将无水硫酸铜、甲醛、改性超支化络合剂、二甲苯和纯水按质量比8:10:35:15:1000~10:15:40:18:1000混合均匀,再加入无水硫酸铜质量0.001~0.002倍的2,2'-联吡啶,无水硫酸铜质量0.0001~0.0002倍的2-巯基苯并噻唑,最后调节pH,制得薄膜表面沉铜用高稳定镀液。

3.根据权利要求2所述的一种薄膜表面沉铜用高稳定镀液的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述预聚体的制备方法为:将丙烯酸甲酯、二乙烯三胺、离子液体[DABCO-PDO][BF4]和甲醇按质量比1:1:1:1~2:3:1:2混合均匀,在0~5℃,800~1000r/min搅拌反应6~8h,在30~40℃,1~2kPa静置8~10h,再加入丙烯酸甲酯质量2~3倍的纯水和丙烯酸甲酯质量2~3倍的乙酸乙酯,以800~1000r/min搅拌8~10min,静置15~20min,通过分液漏斗取上层液体,在30~40℃,1~2kPa静置8~10h,制备而成。

4.根据权利要求2所述的一种薄膜表面沉铜用高稳定镀液的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述单端含氢硅油的制备方法为:将五甲基二硅氧烷和八甲基环四硅氧烷按质量比1:1.2~1:1.5混合均匀,再加入五甲基二硅氧烷质量0.1~0.2倍的质量分数90~98%倍的浓硫酸,在80~90℃,800~1000r/min搅拌反应2~3h,冷却至室温后加入氢氧化钙将pH调节值6~7,过滤,再加入五甲基二硅氧烷质量0.2~0.4倍的无水硫酸镁,以500~700r/min搅拌15~20min,再次过滤,在40~50℃,1~2kPa静置8~10h,制备而成。

5.根据权利要求2所述的一种薄膜表面沉铜用高稳定镀液的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述催化剂为氯铂酸。

6.根据权利要求2所述的一种薄膜表面沉铜用高稳定镀液的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述二甲苯为邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯中的一种或几种混合。

7.根据权利要求2所述的一种薄膜表面沉铜用高稳定镀液的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述调节pH的方法为:加入氢氧化钠将pH调节至12.5~13,并在30~40℃,30~40kHz超声15~20min。

8.一种薄膜表面沉铜用高稳定镀液,其特征在于,所述薄膜表面沉铜用高稳定镀液由权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到。

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