[发明专利]一种I型纳米晶磁芯及其制备方法

权利要求书

1.一种I型纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：将纳米晶带材用卷绕机卷绕成环形磁芯；

S2：将S1所述的环形磁芯用夹板夹扁形成条形磁芯，并留出测试气隙，嵌入限位块控制夹扁厚度，将夹扁后的条形磁芯连同夹板、限位块一同装入模具中限位紧固；

S3：将步骤S2所述模具连同条形磁芯放入气氛一体保护炉中进行热处理，使模具内条形磁芯得以晶化、定型、消除应力；

S4: 热处理后将模具连同条形磁芯从气氛一体保护炉中取出，测试条形磁芯的电感量；

S5：配置固化胶水，均匀涂抹在条形磁芯端面，与模具一起放入抽真空机并抽真空至0.1MPa，使胶水均匀吸入条形磁芯的层间间隙；

S6：将S5所述模具与条形磁芯放入烘烤箱中烘烤固化；

S7：将S6所述模具与条形磁芯从烘烤箱中取出，卸下模具，得到固化完毕后的条形磁芯；

S8：将S7得到的条形磁芯通过机加工线切割加工至所需外形尺寸，制得半成品I型纳米晶磁芯；

S9：将S8得到的半成品I型纳米晶磁芯外观进行保护性环氧树脂喷涂，即得到成品的I型纳米晶磁芯。

2.根据权利要求1所述的一种I型纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于，所述纳米晶带材为1K107B铁基纳米晶带材。

3.根据权利要求1所述的一种I型纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于，步骤S3中热处理包含如下步骤：（1）将气氛一体保护炉中温度快速升温至400℃后按50℃-65℃/小时升至450-480℃并充入氮气保护保温1-2小时；（2）将温度按45℃-60℃/小时升温至550-580℃保温1-2小时，同时开启横磁场进行诱导磁芯晶粒使磁芯具备抗应力效果；（3）快速按150℃/小时降温至200-250℃并关闭氮气保护，关闭横磁场，冷却后取出模具与条形磁芯。

4.根据权利要求1所述的一种I型纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于，步骤S4中通过IM3536 LCR测试仪测试条形磁芯电感量。

5.根据权利要求4所述的一种I型纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于，条形磁芯电感量的测试方法为测试铜线穿过条形磁芯在步骤S2过程中形成的预留气隙并连接IM3536LCR测试仪正负极形成回路，测试得出条形磁芯电感量。

6.根据权利要求1所述的一种I型纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于，步骤S5中所述胶水为双组分高温固化环氧胶水，均匀涂抹在条形磁芯表面后，经抽真空机抽至0.1MPa，使胶水均匀渗透至条形磁芯带层之间。

7.根据权利要求1所述的一种I型纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于，步骤S6中，烘烤固化的温度为120-150℃，时间为1.5-2h，经过烘烤完成条形磁芯的固化。

8.根据权利要求1所述的一种I型纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于，步骤S9中喷涂的保护性环氧树脂厚度为0.2-0.3mm。