[发明专利]一种N掺杂C膜的制备方法在审
| 申请号： | 202210389804.X | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114774846A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;汤永康;甘治平;李刚;王天齐;李钰涵 | 申请（专利权）人： | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 制备 方法 | ||
1.一种N掺杂C膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）选用单晶Si片或玻璃为衬底材料，高纯石墨为溅射靶材，N2为离子束的N+源；
（2）对衬底材料依次用丙酮、酒精、去离子水进行超声波清洗，吹干备用；
（3）把衬底材料放入溅射腔中，启动磁控溅射设备并抽真空，在真空度达到1.0~3.0*10－4Pa时，通入溅射气体Ar气，使C靶起辉，而后设定工艺参数，在Si片上制备C膜；之后关闭C靶，开启离子束沉积系统，通入N2作为氮源，通过离子束发射N+轰击C膜，与衬底C膜发生反应并实现掺杂；
（4）然后取出样品，将其放入250-400℃、N2气氛炉中进行1.5-3h保温退火，最终制得N掺杂C薄膜。
2.根据权利要求1所述一种N掺杂C膜的制备方法，其特征在于：所述工艺参数为：功率50-200w，Ar为10-30sccm，工作气压0.5-1.0Pa，时间10-60min。
3.根据权利要求2所述一种N掺杂C膜的制备方法，其特征在于：所述工艺参数为：功率100w，Ar为20sccm，工作气压0.5Pa，时间30min。
4.根据权利要求2所述一种N掺杂C膜的制备方法，其特征在于：所述工艺参数为：功率150w，Ar为25sccm，工作气压1Pa，时间45min。
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