[发明专利]一种用于太阳能电池的ZnS/Ag/WO3 在审
| 申请号： | 202210389849.7 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114899250A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;姚婷婷;汤永康;甘治平;李刚;李钰涵 | 申请（专利权）人： | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/58 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳能电池 zns ag wo base sub | ||
1.一种用于太阳能电池的ZnS/Ag/WO3薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）选用普通的玻璃为衬底材料；
（2）采用丙酮、酒精、去离子水依次对衬底材料进行超声波清洗，热风吹干，备用；
（3）将衬底材料置于样品架上，并送入溅射腔室，开启磁控溅射设备，当真空度达到1.0-4.0*10-4 Pa时，通入氩气，启动靶材，进行10min预溅射；以金属钨，ZnS，Ag为溅射靶材，其中金属钨为高纯靶，ZnS为陶瓷靶材，三者互成45°交角，Ag为金属靶材；
（4）预溅射完毕，独立设定各层的工艺参数，依次制得ZnS薄膜、Ag薄膜和WO3薄膜；
（5）镀制完毕，关闭起辉电源，同时加热样品台至400-500℃，对样品进行退火，退火结束，样品随机器空冷至室温，然后取出，即得ZnS/Ag/WO3薄膜。
2.根据权利要求1所述一种用于太阳能电池的ZnS/Ag/WO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述ZnS薄膜镀制的工艺参数为：功率100-200W，工作气压0.5-1.0Pa，Ar总流量为：20-30sccm，溅射时间为30-40min。
3.根据权利要求1所述一种用于太阳能电池的ZnS/Ag/WO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述Ag薄膜镀制的工艺参数为：功率40-50W，工作气压0.2-0.3Pa，Ar流量为：10-20sccm，溅射时间为5-8s。
4.根据权利要求1所述一种用于太阳能电池的ZnS/Ag/WO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述WO3薄膜镀制的工艺参数为：功率80-120W，工作气压0.3-1.0Pa，O2通入量为5-8sccm，Ar通入量为：13-20sccm，溅射时间为15-20min。
5.根据权利要求1-4任一项所述一种用于太阳能电池的ZnS/Ag/WO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述ZnS薄膜的厚度为100-150nm，Ag薄膜的厚度为10-15nm，WO3薄膜厚度为80-120nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司，未经中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210389849.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
