[发明专利]一种用于纳米精度位移测量的系统和光栅传感方法有效
申请号: | 202210391782.0 | 申请日: | 2022-04-14 |
公开(公告)号: | CN114963994B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 蒋维涛;刘红忠;王训韩;尹磊;史永胜;陈邦道 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02;G01D5/32;G02B27/28 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 安彦彦 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 纳米 精度 位移 测量 系统 光栅 传感 方法 | ||
1.一种用于纳米精度位移测量的系统,其特征在于,包括光源(1)、测量光栅、光学成像面(4)和相位检测元件(5),其中测量光栅包括反射式光栅(2)和亚波长结构(6),所述亚波长结构(6)在反射式光栅(2)上周期性排布;所述亚波长结构(6)包括介质层(62)和固定在介质层(62)上的金属层(61);
所述测量光栅设置在光源(1)的射出光路上,光学成像面(4)设置在测量光栅的反射光路上,所述相位检测元件(5)设置在光学成像面(4)的反射光路上;
所述亚波长结构(6)的长度为600 nm -1200nm,宽度为200 nm -400nm;
所述的测量光栅的周期为2μm -10μm,栅线(21)相对于狭缝(22)高度为2μm-3μm。
2.根据权利要求1所述的一种用于纳米精度位移测量的系统,其特征在于,所述亚波长结构(6)的特征尺寸为:λ/10≤a1=a2≤λ/2,b1=b2≥2a1=2a2,0°≤θ≤90°,a1为金属层(61)宽度,a2为介质层(62)的宽度,λ为光源(1)发射出的光波长,b1为金属层(61)长度,b2为介质层(62)的长度,θ为亚波长结构(6)与反射式光栅(2)周期方向之间的夹角。
3.根据权利要求1所述的一种用于纳米精度位移测量的系统,其特征在于,所述金属层(61)材料为Au、Ag、Pt或Cu,介质层(62)的材料为Al2O3或SiO2。
4.根据权利要求1所述的一种用于纳米精度位移测量的系统,其特征在于,所述金属层(61)的高c为50-100nm,所述介质层(62)的高d为100 nm -200nm,d≥c。
5.根据权利要求1所述的一种用于纳米精度位移测量的系统,其特征在于,所述的测量光栅的占空比为1:1。
6.根据权利要求1所述的一种用于纳米精度位移测量的系统,其特征在于,所述光源(1)距测量光栅的光程e≥1.5λ;测量光栅距光学成像面(4)的光程;光学成像面(4)距相位检测元件(5)的光程i≥1.5λ,m为系数,f为光栅周期,λ为光源发射出的光波长。
7.根据权利要求1或6所述的一种用于纳米精度位移测量的系统,其特征在于,所述光源(1)射出的光斜入射到测量光栅上的入射角度α满足:10°≤α≤80°,测量光栅的反射光入射到光学成像面(4)的入射角度β满足:10°≤β≤80°。
8.一种用于纳米精度位移测量的传感方法,基于权利要求1-7任意一项所述的位移测量系统,其特征在于,在进行纳米精度位移测量时,通过反射式光栅(2)上的亚波长结构(6)对光栅周期进行细化,从光源(1)射出的光照射到测量光栅表面的亚波长结构(6)上,在亚波长结构(6)位置处产生相位突变;通过相位检测元件(5)测量亮斑区域边缘的相位突变,增加光栅周期内细分节点,对光场周期进行纳米级高精度重构,根据重构后的光场周期计算位移。
9.根据权利要求8所述的一种用于纳米精度位移测量的传感方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、光源(1)相对于测量光栅沿光栅周期方向移动,光源(1)发射出的光入射到测量光栅上;在亚波长结构(6)位置处相位产生突变,通过亚波长结构(6)反射形成光场,光场在光学成像面(4)上聚焦形成亮斑,反射光经光学成像面(4)反射后通过相位检测元件(5),相位检测元件(5)检测到亮斑区域边缘的相位奇点和光栅栅线边界;
S2、利用相位奇点和光栅栅线边界拟合出光场周期拟合曲线,光场周期拟合曲线的一个周期即为光场周期;
S3、根据光场周期计算位移。
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