[发明专利]一种主动驱动电路在审
申请号: | 202210391851.8 | 申请日: | 2022-04-14 |
公开(公告)号: | CN114665856A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 丁晓峰;宋心荣 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H03K17/60 | 分类号: | H03K17/60 |
代理公司: | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人: | 管莹;夏华栋 |
地址: | 102206*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 主动 驱动 电路 | ||
一种主动驱动电路,包括主三端子晶体管、开通控制电路和关断控制电路,开通控制电路和关断控制电路均与所述主三端子晶体管的控制极连接,开通控制电路用于接收开通控制信号后向主三端子晶体管的控制极输出开通信号,并能调节开通信号的电流大小;关断控制电路用于接收关断控制信号后向主三端子晶体管的控制极输出关断信号,并能调节关断信号的电流大小。本公开能够连续的改变主三端子晶体管的控制极的驱动电流,进而改变器件的开关轨迹与损耗。可以在主三端子晶体管的每个开关周期进行独立控制,动态性能良好。本驱动电路结构简单,不需要过多的附加电路。
技术领域
本公开属于电力电子技术领域,具体涉及一种主动驱动电路。
背景技术
在大功率的应用场合中,系统器件电流大,相应损耗高,造成器件结温上升显著。传统硅(Silicon,简称Si)材料制成的功率器件耐温等级较低、禁带宽度窄、阻断电压低,难以满足新一代功率系统的要求。相比之下,SiC材料制成的MOSFET具有更高的耐高温等级、更低的损耗,应用潜力巨大。但在器件工作过程中,开关损耗会使结温增加,SiC MOSFET电气特性发生变化,开关特性也随之改变,会导致寿命的下降。
目前,调节驱动电路的开关损耗可以通过改变器件开关频率实现,然而改变开关频率调节损耗由于受到器件本身的制约,很难有更大的提高。此外,开关损耗的调节也可以改变驱动电路的参数实现,但是驱动电路参数往往难以在线调节。
发明内容
为了解决上述技术问题,本公开的目的在于提供一种能够实现器件开关损耗线性连续调节的主动驱动电路。
为了实现本公开的目的,本公开所采用的技术方案如下:
一种主动驱动电路,包括:
主三端子晶体管,基于接收到的开通信号或关断信号,开通或关断主三端子晶体管;
开通控制电路,与所述主三端子晶体管的控制极连接,用于接收开通控制信号后向主三端子晶体管的控制极输出开通信号,并能调节开通信号的电流大小;
关断控制电路,与所述主三端子晶体管的控制极连接,用于接收关断控制信号后向主三端子晶体管的控制极输出关断信号,并能调节关断信号的电流大小。
可选地,所述开通控制电路包括第一三端子晶体管、第一可变电阻、开通电源和第一二极管;
所述第一三端子晶体管的控制极通过第一可变电阻后与开通电源的第一极连接,所述开通电源的第二极与第一三端子晶体管的第一极连接,所述第二三端子晶体管的第二极还通过第二二极管与主三端子晶体管的控制极连接。
可选地,所述开通电源是恒压源。
可选地,所述关断控制电路包括第二三端子晶体管、第二可变电阻、关断电源和第二二极管;
所述第二三端子晶体管的控制极通过第二可变电阻后与关断电源的第一极连接,所述关断电源的第二极与第二三端子晶体管的第一极连接,所述关断电源的第二极还通过第二二极管与主三端子晶体管的控制极连接。
可选地,所述关断电源是恒压源。
可选地,还包括:
控制信号电路,用于向开通控制电路输入开通控制信号,用于向关断控制电路输入关断控制信号。
可选地,所述控制信号电路包括数字信号处理器和驱动信号电路,所述数字信号处理器通过所述驱动信号电路与开通控制电路连接,所述驱动信号电路还与关断控制电路连接。
可选地,所述数字信号处理器还通过第一数字隔离器与开通控制电路连接。
可选地,所述数字信号处理器还通过第二数字隔离器与关断控制电路的第一极连接。
可选地,所述数字信号处理器还与所述主三端子晶体管连接。
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