[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

氧化物半导体层，设置于所述基板上，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的导体区；

栅极绝缘层，设置于所述氧化物半导体层远离所述基板的一侧；

栅极，设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧；

层间绝缘层，设置于所述栅极远离所述基板的一侧；

源漏极金属层，设置于所述层间绝缘层远离所述基板的一侧，并通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述导体区电连接；

其中，所述栅极绝缘层的边缘分别与所述沟道区两侧的所述导体区存在交叠，且所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述基板上的正投影的范围。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影与所述沟道区在所述基板上的正投影重合。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第二层间绝缘层靠近所述基板的一侧，且所述第一层间绝缘层暴露出所述栅极和所述栅极绝缘层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一层间绝缘层覆盖所述导体区未被所述栅极绝缘层覆盖的部分，且所述源漏极金属层通过贯穿所述第一层间绝缘层以及所述第二层间绝缘层的所述过孔与所述导体区电连接。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板与所述氧化物半导体层之间还设置有金属遮光层和缓冲层，所述金属遮光层位于所述缓冲层远离所述氧化物半导体层的一侧；

所述源漏极金属层包括源极和漏极，其中，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层以及所述缓冲层的接触孔与所述金属遮光层电连接。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供一基板，在所述基板上制作氧化物半导体层；

S2，在所述氧化物半导体层上制作栅极绝缘层、栅极以及层间绝缘层，并形成所述氧化物半导体层的沟道区和位于所述沟道区两侧的导体区；

S3，形成贯穿所述层间绝缘层且暴露所述导体区的过孔；

S4，在所述层间绝缘层上制作源漏极金属层，所述源漏极金属层通过所述过孔与所述导体区电连接；

其中，所述栅极绝缘层的边缘分别与所述沟道区两侧的所述导体区存在交叠，且所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述基板上的正投影的范围。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述S2包括以下步骤：

S21，在所述氧化物半导体层上制作层叠的栅极绝缘层和栅极过渡层，并在所述氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成第一导体区；

S22，进行第一次层间绝缘层的制作，所述层间绝缘层覆盖所述第一导体区，同时所述第一导体区的载流子向所述氧化物半导体层对应所述栅极绝缘层的部分扩散，以形成与所述第一导体区邻接的第二导体区；

S23，对所述栅极过渡层进行蚀刻，形成栅极；

S24，进行第二次层间绝缘层的制作，形成覆盖所述栅极、所述栅极绝缘层以及所述氧化物半导体层的层间绝缘层，同时所述第一导体区以及所述第二导体区的载流子向靠近所述氧化物半导体层对应所述栅极的部分扩散，以在所述氧化物半导体层对应所述栅极的部分与所述第二导体区之间形成第三导体区；

其中，所述第一导体区、所述第二导体区以及所述第三导体区构成导体区。