[发明专利]硅片烘干装置及烘干方法、制绒硅片后处理系统及方法

说明书

本发明提供了一种硅片烘干装置及烘干方法、制绒硅片后处理系统及方法，其中硅片烘干装置包括：烘干槽体；中空隔板，多块中空隔板间隔设于烘干槽体内，多块中空隔板将烘干槽体的内腔分隔形成多个硅片置放区，中空隔板的侧面开设有多个与中空隔板内腔连通的吹风孔；热风供应装置，与中空隔板的内腔连通，以向中空隔板的内腔中通入热风。本发明的硅片烘干装置及烘干方法、制绒硅片后处理系统及方法能够减少电池片的水渍印迹不良，提高电池片的良率、生产效率和电池效率，降低电池片的生产成本。

技术领域

本发明涉及太阳电池生产技术领域，特别是涉及一种硅片烘干装置及烘干方法、制绒硅片后处理系统及方法。

背景技术

异质结电池全称晶体硅异质结太阳电池，又称HIT、HJT、SHJ，是一种特殊的PN结，由非晶硅和晶体硅材料形成。异质结电池是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，其综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，被认为是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。

从未来的技术发展趋势上看，HJT技术能与钙钛矿结合形成硅基叠层电池，叠加高转换效率、工艺流程简单、高良率、薄片空间大、低温工艺以及与现有高效组件技术可兼容等特性，使得实现低成本量产的HJT异质结技术必将成为电池新产能扩产的最佳选择。而异质结电池高效率、高功率、高可靠性及高发电量是实现光伏发电进入平价上网时代的关键所在。同时，HJT基于其本身特性，在大尺寸硅片及双面率上，拥有其他几种可能的下一代电池技术所无法比拟的优势，从而成为目前已知的光伏电池技术的终极平台技术。

与目前主流的PERC(钝化发射极和背面电池)技术相比，异质结电池目前最大的问题是生产成本较高。因此，如何降低异质结电池的生产成本，提高产品的良率和电池效率，是其规模化量产的重要前提；而制绒机台(主要是制绒后处理阶段)导致的电池片水渍印迹隔离率偏高，严重影响电池片良率、电池效率和产能的爬坡。

在异质结电池片制备过程中，硅片需要经过粗抛→臭氧清洗→预清洗→制绒→后清洗→圆滑处理→氢氟酸钝化(预脱水)→慢提拉(脱水)→烘干。因为异质结电池独特的结构，要求制绒界面与非晶硅界面要有很好的匹配性，所以对硅片表面的清洁度、干燥度和绒面结构的均匀性、稳定性要求明显高于常规单晶硅太阳电池。

而制绒后的硅片在清洗时(清洗药剂中通常包括臭氧)，电池表面会生成一层氧化层(氧化硅)。制绒硅片表面在清洗时形成氧化层的反应式如下：

Si+2O₃＝SiO₂+2O₂

二氧化硅难溶于水，但是由二氧化硅组成的硅胶的空间结构有无数个小孔，使得硅胶的空间结构具有吸水性，并很容易吸附杂质，而且氧化硅不具有导电性，会影响电池效率。

如果氢氟酸钝化(预脱水)的药液配方不能很好地去除制绒硅片表面的氧化层，氧化层中吸附的水和杂质在慢提拉(脱水)和烘干步骤中极难完全去除。而且，如果烘干槽的设置不合理，也很难持续地将制绒硅片表面的水渍去除，会在镀膜工序产生沉积钝化不良，水渍和杂质将直接阻碍钝化沉积，形成“水渍印迹”，严重影响产品的良率和电池效率。而且频繁换液、停机维护、增加烘干时间会导致药液、能源、时间的浪费，使生产成本增加。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够减少制绒后硅片表面的水渍和杂质、提高电池片良率的硅片烘干装置及烘干方法、制绒硅片后处理系统及方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种硅片烘干装置，包括：

烘干槽体；

中空隔板，设于所述烘干槽体内，所述中空隔板将所述烘干槽体的内腔分隔形成多个硅片置放区，所述中空隔板朝向所述硅片置放区的侧壁开设有与所述中空隔板内腔连通的吹风孔；及

热风供应装置，与所述中空隔板的内腔连通，用于向所述中空隔板的内腔中通入热风。