[发明专利]背接触异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：

将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面；

将磁性件定位后放置于所述硅片的背离所述金属掩模板的一侧表面，以将所述硅片与所述金属掩模板固定；

通过所述金属掩模板在所述硅片上完成镀膜，形成所述背接触异质结太阳能电池的发射极和基极。

2.如权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述通过所述金属掩模板在所述硅片上完成镀膜，形成所述背接触异质结太阳能电池的发射极和基极之后，所述方法还包括：

将所述磁性件卸载，依次取下所述硅片与所述金属掩模板，以获得完成所述背接触异质结太阳能电池的发射极与基极交叉排列的镀膜硅片。

3.如权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面的步骤，包括：

将所述硅片放置于所述金属掩模板的一侧表面；

在所述金属掩模板的一侧表面上调整所述硅片的位置，以将所述硅片的位置与所述金属掩模板的位置对应。

4.如权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述磁性件包括铝镍钴合金、钐钴磁体、铁氧体或者钕铁硼磁体中的任一种。

5.如权利要求4所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述磁性件包括居里温度大于300℃的永磁材料。

6.如权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述磁性件的形状为网状或条块状。

7.如权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述金属掩模板包括铁、镍或者钴中的至少一种。

8.如权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述硅片包括N型单晶硅片或者P型单晶硅片。

9.如权利要求8所述的背接触异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述硅片的厚度为70～200μm。

10.一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述背接触异质结太阳能电池制备方法制备得到。