[发明专利]一种太阳电池复合组件及其制备方法和光伏系统在审

专利信息
申请号: 202210393364.5 申请日: 2022-04-15
公开(公告)号: CN114497287A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 王永谦;邱开富;张宁;何嘉伟;陈刚 申请(专利权)人: 浙江爱旭太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/048;H01L31/068;H01L31/0747;H01L27/142
代理公司: 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 代理人: 张红伟
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳电池 复合 组件 及其 制备 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种太阳电池复合组件的制备方法,其特征在于,包括:

在玻璃衬底上制备薄膜电池阵列;

在所述薄膜电池阵列上设置绝缘层;

在所述绝缘层上设置晶硅电池阵列;

在所述晶硅电池阵列上设置封装胶膜;

在所述封装胶膜上设置封装玻璃。

2.根据权利要求1所述的太阳电池复合组件的制备方法,其特征在于,所述玻璃衬底为导电玻璃,在玻璃衬底上制备薄膜电池阵列,包括:

在所述导电玻璃上划出多个第一凹槽;

在划线后的所述导电玻璃上制备第一接触层;

在所述第一接触层上制备吸收层;

在所述吸收层上制备第二接触层;

在所述第二接触层、吸收层和第一接触层划出多个第二凹槽;

在所述第二接触层上制备导电层;

在所述导电层上划出多个第三凹槽。

3.根据权利要求2所述的太阳电池复合组件的制备方法,其特征在于,所述玻璃衬底为绝缘玻璃,在玻璃衬底上制备薄膜电池阵列,包括:

在所述绝缘玻璃上制备导电膜,制成所述导电玻璃。

4.根据权利要求2所述的太阳电池复合组件的制备方法,其特征在于,在划线后的所述导电玻璃上制备第一接触层,包括:

在划线后的所述导电玻璃上制备第一致密接触层;

在所述第一致密接触层上制备第一介孔接触层;

采用无机铁电体在所述第一介孔接触层上制备第一铁电间隔绝缘层;

在所述第一铁电间隔绝缘层上制备第一碳电极;

对所述第一铁电间隔绝缘层施加自所述第一接触层指向所述吸收层的方向的铁电极化场,施加的铁电极化场的强度大于所述第一铁电间隔绝缘层的铁电矫顽场。

5.根据权利要求1所述的太阳电池复合组件的制备方法,其特征在于,所述薄膜电池阵列设有第一接触端和第二接触端,所述晶硅电池阵列设有第三接触端和第四接触端,所述太阳电池复合组件的制备方法包括:

将所述第一接触端、所述第二接触端、所述第三接触端和所述第四接触端分别从所述太阳电池复合组件引出。

6.根据权利要求1所述的太阳电池复合组件的制备方法,其特征在于,所述薄膜电池阵列设有第一接触端和第二接触端,所述晶硅电池阵列设有第三接触端和第四接触端,所述第一接触端和所述第三接触端的极性相同,所述第二接触端和所述第四接触端的极性相同,所述太阳电池复合组件的制备方法包括:

将所述第一接触端和所述第三接触端连接,形成第一引出端;

将所述第一引出端、所述第二接触端和所述第四接触端分别从所述太阳电池复合组件引出。

7.根据权利要求1所述的太阳电池复合组件的制备方法,其特征在于,所述薄膜电池阵列设有第一接触端和第二接触端,所述晶硅电池阵列设有第三接触端和第四接触端,所述第一接触端和所述第三接触端的极性相同,所述第二接触端和所述第四接触端的极性相同,所述太阳电池复合组件的制备方法包括:

将所述薄膜电池阵列和所述晶硅电池阵列进行电压匹配;

将所述第一接触端和所述第三接触端连接,形成第一引出端;

将所述第二接触端和所述第四接触端连接,形成第二引出端;

将所述第一引出端和所述第二引出端分别从所述太阳电池复合组件引出。

8.根据权利要求1所述的太阳电池复合组件的制备方法,其特征在于,所述薄膜电池阵列设有第一接触端和第二接触端,所述晶硅电池阵列设有第三接触端和第四接触端,所述第一接触端和所述第三接触端的极性相同,所述第二接触端和所述第四接触端的极性相同,所述太阳电池复合组件的制备方法包括:

将所述薄膜电池阵列和所述晶硅电池阵列进行电流匹配;

将所述第二接触端和所述第三接触端连接;

将所述第一接触端和所述第四接触端分别从所述太阳电池复合组件引出。

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