[发明专利]一种芯片封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210396511.4 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114937644A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杨进;林正忠 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
基板，所述基板的下表面形成有器件层及第一导电层；
翘曲补偿层，所述翘曲补偿层键合于所述器件层的下表面，所述翘曲补偿层的热膨胀系数为2-8ppm/℃；
半导体芯片，所述半导体芯片键合于所述基板的上表面；
电路板，所述电路板对应设置于所述基板的下方，所述电路板上表面的第二导电层与所述第一导电层对应电连接。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基板为有机聚合物基板，其热膨胀系数为16-18ppm/℃；所述半导体芯片为硅晶圆，其热膨胀系数为2.6-2.8ppm/℃；所述翘曲补偿层为玻璃、陶瓷或有机物材料。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述器件层的间隙中形成有填充胶层，所述器件层与所述填充胶层的下表面齐平，所述翘曲补偿层键合于所述器件层与所述填充胶层的下表面。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述翘曲补偿层的上表面形成有与所述器件层中间隙相匹配的凹凸结构，以使所述翘曲补偿层包覆所述器件层。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一导电层与第二导电层通过导线进行电连接或通过金属焊球进行电连接。
6.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，所述基板的下表面形成有器件层及第一导电层；
于所述器件层的下表面键合翘曲补偿层，所述翘曲补偿层的热膨胀系数为2-8ppm/℃；
于所述基板的上表面键合半导体芯片；
提供电路板，所述电路板的上表面形成有第二导电层，所述电路板对应设置于所述基板的下方，且所述第一导电层与第二导电层对应电连接。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述基板为有机聚合物基板，其热膨胀系数为16-18ppm/℃；所述半导体芯片为硅晶圆，其热膨胀系数为2.6-2.8ppm/℃；所述翘曲补偿层为玻璃、陶瓷或有机物材料。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述器件层的间隙中形成有填充胶层，所述器件层与所述填充胶层的下表面齐平，所述翘曲补偿层键合于所述器件层与所述填充胶层的下表面。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述翘曲补偿层的上表面形成有与所述器件层中间隙相匹配的凹凸结构，以使所述翘曲补偿层包覆所述器件层。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电层与第二导电层通过导线进行电连接或通过金属焊球进行电连接。
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