[发明专利]基于氧化石墨烯的湿度传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210396980.6 申请日: 2022-04-15
公开(公告)号: CN114923957A 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 曹阳;祝俊怡;陈浩;范波 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04
代理公司: 北京市中闻律师事务所 11388 代理人: 冯梦洪
地址: 100192 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 氧化 石墨 湿度 传感器 及其 制备 方法
【说明书】:

公开一种基于氧化石墨烯的湿度传感器,结构简单,响应时间更短,灵敏度更高。其包括:绝缘基底(1)、金电极(2)、氧化石墨烯薄膜(3);绝缘基底是平整的,两个平行的金电极真空热蒸镀在绝缘基底上,这三者形成一个绝缘凹槽,在绝缘凹槽的上方设置氧化石墨烯薄膜。还提供了制备方法。

技术领域

发明涉及传感器的技术领域,尤其涉及一种基于氧化石墨烯的湿度传感器,以及该基于氧化石墨烯的湿度传感器的制备方法。

背景技术

湿度与现代人们的生活息息相关,现有的湿敏材料主要分为无机材料、有机或聚合物材料以及二维材料等,由于无机材料需要极高的加工温度,较难普及。有机或聚合物材料在高湿度条件下溶解度较高,适用范围受到限制。二维材料由于其具有较大的比表面积,可以暴露更多的活性位点而受到研究人员的关注。

氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)作为石墨烯的衍生材料,由于其具有非常大的比表面积、非常丰富的含氧官能团,很容易吸附水分子,并为水分子提供了大量的吸附点位,此时水分子作为自由电子供体,会导致GO的空穴浓度降低,表现为:随着湿度增大,导致GO薄膜电阻增大。因此,GO可以作为湿度传感器的敏感材料。但是,目前基于GO的湿度传感器,为改善其导电性,会对GO进行还原处理,进而得到还原氧化石墨烯(Reduced GrapheneOxide,RGO),而RGO的含氧官能团大大少于GO,导致显著减少水分子的吸附位点。而且,目前的薄膜型湿度传感器,其敏感薄膜都附着于某种基底上,因此只有薄膜的上表面能与水分子接触,接触面积有限。综合以上因素,导致目前基于电阻变化原理的湿度传感器的响应时间较长,通常为10s~28s左右,灵敏度较低,通常为0%~6%左右。

发明内容

为克服现有技术的缺陷,本发明要解决的技术问题是提供了一种基于氧化石墨烯的湿度传感器,其结构简单,响应时间更短,灵敏度更高。

本发明的技术方案是:这种基于氧化石墨烯的湿度传感器,其包括:绝缘基底(1)、金电极(2)、氧化石墨烯薄膜(3);

绝缘基底是平整的,两个平行的金电极真空热蒸镀在绝缘基底上,这三者形成一个绝缘凹槽,在绝缘凹槽的上方设置氧化石墨烯薄膜

本发明在结构上只有绝缘基底、金电极、氧化石墨烯薄膜,非常简单;使用未经任何还原处理的氧化石墨烯薄膜作为敏感材料,其具有非常丰富的含氧官能团,为水分子提供了大量的吸附点位,而且,将GO薄膜设置为悬空状态,不附着于任何基底,这样薄膜的上表面、下表面都可与水分子接触,大大增加了接触面积,并且湿度传感器采用了窄沟道(电极间距仅为20微米),综合以上设计,本发明的湿度传感器能够实现快速响应(响应时间为0.45s)、高灵敏度(灵敏度为11%)。

还提供了基于氧化石墨烯的湿度传感器的制备方法,其包括以下步骤:

(1)采用热蒸镀与掩膜结合的方法,利用直径20μm的银丝作为掩膜,沉积形成间距为20μm的一对平行的金电极,从而在平行电极间形成绝缘凹槽;

(2)在绝缘凹槽的上方滴涂氧化石墨烯GO悬浊液,待其干燥成膜,制得基于悬空的GO薄膜的湿度传感器。

附图说明

图1为根据本发明的基于氧化石墨烯的湿度传感器的结构示意图。

图2示出了根据本发明的基于氧化石墨烯的湿度传感器在不同湿度环境下的响应和恢复曲线。

图3示出了根据本发明的基于氧化石墨烯的湿度传感器对53%RH湿度的响应时间和恢复时间。

图4示出了根据本发明的基于氧化石墨烯的湿度传感器对人的手指的靠近和离开的响应曲线。

图5示出了根据本发明的基于氧化石墨烯的湿度传感器对人体呼吸响应的动态曲线。

图6为根据本发明的基于氧化石墨烯的湿度传感器的制备方法的流程图。

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