[发明专利]处理系统、半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：

在一半导体基板上流动多个第一前驱物以形成一磊晶区域，该磊晶区域包含一第一元素及一第二元素；

将一第二前驱物转化为多个第一自由基及多个第一离子；

分离该些第一自由基与该些第一离子；以及

在该磊晶区域上流动该些第一自由基以从该磊晶区域移除至少一些该第二元素。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含在流动该些第一自由基之后，在该磊晶区域上流动多个第三前驱物。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包含在流动该些第三前驱物之后：

将一第四前驱物转化为多个第二自由基及多个第二离子；

分离该些第二自由基与该些第二离子；以及

在该磊晶区域上流动该些第二自由基，其中该些第一前驱物及该些第三前驱物包含相同材料，并且其中该第二前驱物及该第四前驱物包含相同材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，流动该些第一前驱物及流动该些第一自由基为一第一循环的一部分，并且其中该方法进一步包含重复该第一循环使得一循环总数小于或等于5。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所有该些第一循环内所流动该些第一自由基的一总持续时间小于或等于约50秒。

6.一种处理系统，其特征在于，包含：

一反应腔室；

前驱物递送系统的一第一集合，前驱物递送系统的该第一集合可操作地连接到该反应腔室；

一第一磊晶沉积前驱物，位于前驱物递送系统的该第一集合的一第一个内；

一电浆腔室，该电浆腔室包含一离子过滤器；

一第二前驱物递送系统，该第二前驱物递送系统可操作地连接到该电浆腔室，该电浆腔室进一步可操作地连接到该反应腔室；以及

一处理前驱物，位于该第二前驱物递送系统内。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，该处理前驱物包含氢气。

8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，该电浆腔室配置以将氢气转化为氢自由基，并且其中该离子过滤器配置以阻挡离子从该电浆腔室流动到该反应腔室。

9.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一栅极结构，设置在一基板上；

一层间介电层，设置在该栅极结构上及周围；以及

一磊晶源极/漏极区域，从该栅极结构横向地偏移，该磊晶源极/漏极区域包含氯，该磊晶源极/漏极区域进一步包含一主体区域及一表面区域，该表面区域插入该主体区域及该层间介电层，该表面区域包含大于零且小于约1x10¹⁸原子/立方厘米的一氯浓度。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，该磊晶源极/漏极区域进一步包含硅及锗。