[发明专利]石墨烯电镜载网的制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯电镜载网的制备方法，其特征在于，包括：

铺烃类混合物的步骤：在金属基底上形成的石墨烯膜的表面至少部分地铺上烃类混合物；

石墨烯膜转移到电镜载网的步骤：去除金属基底，将铺有烃类混合物的石墨烯膜转移到电镜载网上，获得烃类混合物-石墨烯膜-电镜载网结构；

去除烃类混合物的步骤：采用有机溶剂清洗烃类混合物-石墨烯膜-电镜载网结构，以去除烃类混合物。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铺烃类混合物的步骤中，所述金属基底选自铜或铂基底；所述石墨烯膜表面的70％以上铺有所述烃类混合物。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，石墨烯膜转移到电镜载网的步骤中，通过刻蚀液以去除所述金属基底。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述去除烃类混合物的步骤中，所述有机溶剂为溶解所述烃类混合物的有机溶剂；在高于烃类混合物的熔点5℃～20℃的温度范围内，采用有机溶剂清洗烃类混合物-石墨烯膜-电镜载网结构。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述去除烃类混合物的步骤后，还包括采用清洗剂和水润洗的步骤；

优选地，所述的清洗剂包括醇类、酮类、醚类或酯类清洗剂的一种或多种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述烃类混合物为碳原子数为15～40的烃类混合物，其根据DSC测试的熔点在70℃以下，密度小于水的密度。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述铺烃类混合物的步骤中，通过化学气相沉积法，在金属基底上生长石墨烯膜；

优选地，所述石墨烯膜为单层石墨烯。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述铺烃类混合物的步骤中，在石墨烯膜的表面的烃类混合物的厚度为0.1～0.5mm。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述石墨烯膜转移到电镜载网的步骤中，采用腐蚀液刻蚀铜基底。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述电镜载网的材质选自铜、镍、钼、钛或金；所述电镜载网上设置有孔阵列。