[发明专利]采样单元及其操作方法、电子装置和像素单元在审

专利信息
申请号: 202210399920.X 申请日: 2022-04-15
公开(公告)号: CN114785974A 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 潘立阳;孙科阳;王喆垚 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/378;H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 采样 单元 及其 操作方法 电子 装置 像素
【权利要求书】:

1.一种采样单元,包括:

开关晶体管、第一源极跟随晶体管、第二源极跟随晶体管和第一读出选择晶体管,其中

所述第一源极跟随晶体管的第一源漏极为与所述开关晶体管的第一源漏极电连接,所述第一源极跟随晶体管的第二源漏极与所述第二源极跟随晶体管的栅极电连接,所述第一源极跟随晶体管的栅极配置为接收第一电压控制信号,

所述第二源极跟随晶体管的第一源漏极与所述第一读出选择晶体管的第一源漏极电连接,并且

所述开关晶体管的栅极被配置为接收感光信号。

2.根据权利要求1所述的采样单元,其中,所述开关晶体管的第二源漏极与第一电源电压端电连接,

所述第二源极跟随晶体管的第一源漏极与所述第一电源电压端电连接。

3.根据权利要求2所述的采样单元,其中,所述第一读出选择晶体管的第二源漏极与第一列输出端电连接,所述第一读出选择晶体管的栅极被配置为接收第一行选择信号。

4.根据权利要求1所述的采样单元,还包括:

模式选择晶体管,其中,所述模式选择晶体管的第一源漏极被配置为接收所述感光信号,所述模式选择晶体管的第二源漏极与所述第一源极跟随晶体管第一源漏极电连接,所述模式选择晶体管的栅极配置为接收模式选择信号。

5.根据权利要求4所述的采样单元,还包括:

第二读出选择晶体管,其中,所述第二读出选择晶体管的第一源漏极与所述第一源极跟随晶体管的第二源漏极电连接。

6.一种如权利要求1所述的采样单元的操作方法,包括:

通过所述开关晶体管的栅极接收所述感光信号;以及

通过所述采样单元对所述感光信号采样并输出采样信号。

7.根据权利要求6所述的操作方法,其中,通过所述采样单元对所述感光信号采样包括:

对所述第一源极跟随晶体管的栅极施加所述第一电压控制信号;以及

开启所述第一读出选择晶体管以通过所述第一列输出端输出所述采样信号。

8.根据权利要求6所述的操作方法,还包括:

根据输出的采样信号,获取出所述开关晶体管的关断时间;

基于所述开关晶体管的关断时间,计算入射光功率密度。

9.一种如权利要求4所述的采样单元的操作方法,包括:

对所述模式选择晶体管施加所述模式选择信号,以选择所述采样单元的操作模式;

通过所述第二源极跟随晶体管的栅极接收所述感光信号;以及

通过所述采样单元对所述感光信号采样并输出采样信号。

10.根据权利要求9所述的操作方法,其中,通过所述采样单元对所述感光信号采样包括:

向所述第一读出选择晶体管的栅极施加第一行选择信号;以及

开启所述第一读出选择晶体管以通过所述第一列输出端输出所述采样信号。

11.一种如权利要求5所述的采样单元的操作方法,包括:

对所述模式选择晶体管施加所述模式选择信号,以选择所述采样单元的操作模式;

通过所述开关晶体管的栅极接收所述感光信号;以及

通过所述采样单元对所述感光信号采样并输出采样信号。

12.根据权利要求11所述的操作方法,其中,通过所述采样单元对所述感光信号采样包括:

对所述第二读出选择晶体管的栅极施加所述第二行选择信号;以及

开启所述第二读出选择晶体管以通过所述第二列输出端输出所述采样信号。

13.一种电子装置,包括如权利要求1-5中任一所述的采样单元。

14.一种像素单元,包括如权利要求1-5中任一所述的采样单元;以及光探测器单元,其中,所述采样单元对从所述光探测器单元接收的感光信号进行采样。

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