[发明专利]一种TO紫外器件封装结构有效

专利信息
申请号: 202210400938.7 申请日: 2022-04-18
公开(公告)号: CN114497330B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 闫志超;黄小辉;刘建青 申请(专利权)人: 至芯半导体(杭州)有限公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/62;H01L31/02;H01L25/16
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 史云聪
地址: 310000 浙江省杭州市钱塘新*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 to 紫外 器件 封装 结构
【说明书】:

发明公开了一种TO紫外器件封装结构,涉及半导体封装技术领域,陶瓷模块安装在底座上,正面焊盘和底端焊盘分别安装于陶瓷模块的上下端面,多个侧面焊盘围绕陶瓷模块的外侧壁安装,不同的侧面焊盘能够与正面焊盘对应的不同部位导通,深紫外发射芯片安装于正面焊盘上,多个探测芯片分别安装于各侧面焊盘上,多个电极柱依次穿过底座、底端焊盘和陶瓷模块,并与正面焊盘的不同部位导通,正面焊盘的不同部位还能够分别导通深紫外发射芯片和通过侧面焊盘导通探测芯片,并使探测芯片能够接收到深紫外发射芯片发出的信号。该TO紫外器件封装结构能够达到单一器件同时具有深紫外发射与360度接收的光通信技术要求。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域,具体是涉及一种TO紫外器件封装结构。

背景技术

深紫外发光二极管(UVC LED)具有可靠性高、寿命长、反应快、功耗低、环保无污染和体型小等优势,被广泛应用于紫外光通信、杀菌消毒等领域。其紫外光通信具有灵活、低窃听、全方位和非视距通信的独特优势,紫外线光子主要应用于短距离的、高保密性等重要通信领域,深紫外光子在大气中的散射作用使紫外光的能量传输方向发生改变,这也为紫外光通信奠定了通信基础。但目前深紫外发光二极管发射器件与深紫外信号接收器件为分开器件设计,单一深紫外信号接收器件接收信号角度为180度,无法实现360度深紫外信号接收。

发明内容

本发明的目的是提供一种TO紫外器件封装结构,以解决上述现有技术存在的问题,达到单一器件同时具有深紫外发射与360度接收的光通信技术要求。

为实现上述目的,本发明提供了如下方案:

本发明提供了一种TO紫外器件封装结构,包括底座、陶瓷模块、底端焊盘、正面焊盘、侧面焊盘、深紫外发射芯片、探测芯片、顶端透镜和电极柱,所述陶瓷模块安装在所述底座上,且所述正面焊盘和所述底端焊盘分别安装于所述陶瓷模块的上端面和下端面,所述侧面焊盘为多个且围绕所述陶瓷模块的外侧壁安装,不同的所述侧面焊盘能够与所述正面焊盘对应的不同部位导通,所述深紫外发射芯片安装于所述正面焊盘上,所述探测芯片为多个,且分别安装于各所述侧面焊盘上,所述电极柱为多个,且均依次穿过所述底座、所述底端焊盘和所述陶瓷模块,并与所述正面焊盘的不同部位导通,所述正面焊盘的不同部位还能够分别导通所述深紫外发射芯片和通过所述侧面焊盘导通所述探测芯片,并使所述探测芯片能够接收到所述深紫外发射芯片发出的信号,所述顶端透镜位于所述深紫外发射芯片的上方。

优选地,所述正面焊盘包括第一正面焊盘、第二正面焊盘、第三正面焊盘和第四正面焊盘,且所述深紫外发射芯片安装于所述第一正面焊盘和所述第二正面焊盘的上端面,所述第三正面焊盘和所述第四正面焊盘能够通过所述侧面焊盘与所述探测芯片导通。

优选地,所述底座的底端外缘设有环形台阶,且所述底座上开设有多个第一通孔,所述底端焊盘上对应各所述第一通孔的位置开设有第二通孔,所述第一通孔和所述第二通孔均用于所述电极柱的通过。

优选地,所述第二通孔的内径大于所述第一通孔的内径。

优选地,各所述第一通孔内均安装有一绝缘套,所述绝缘套的两端开口,且一个所述绝缘套内部同轴安装一个所述电极柱。

优选地,还包括一环形透镜,所述环形透镜套设于所述底座和所述陶瓷模块外周,且所述环形透镜的下端与所述环形台阶的上端面接触,所述环形透镜的上端与所述顶端透镜的下端固定,所述环形透镜位于各所述探测芯片的外部。

优选地,还包括一管帽,所述管帽套设于所述环形透镜外周,且所述管帽的下端与所述环形台阶的上端面接触,且所述管帽下端的外缘与所述环形台阶的外缘平齐,所述管帽的上端高于所述顶端透镜下端的环形边缘,且低于所述顶端透镜的上端,所述管帽上对应各所述侧面焊盘的位置均开设有光出口。

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