[发明专利]一种用于层状单晶样品退孪晶的装置及方法

权利要求书

1.一种用于层状单晶样品退孪晶的装置，其特征在于，包括：

具有内腔的金属外框；以及

位于金属外框内腔中的金属片；

所述金属片的两端与金属外框固定；

所述金属外框的热膨胀系数小于金属片的热膨胀系数；

所述金属片被配置为用以承载固定样品，在低温环境下，由于金属外框与金属片的热膨胀系数差异，金属片受到拉力并将拉伸应变传递给样品；

所述金属片包括中间区，位于中间区两端的两个过渡区，以及两个分别形成于两个过渡区的远离中间区一端的用以与金属外框结合固定的固定区；

所述过渡区的两侧边部朝向中间区逐渐变窄；

定义，所述金属外框的长度方向为第一方向，所述金属外框的宽度方向为第二方向，所述金属外框的高度方向为第三方向；

所述金属片沿所述第一方向设置；

第一方向上所述金属外框的尺寸为95mm，第二方向上所述金属外框的尺寸为45mm，第三方向上所述金属外框的尺寸为5mm；

第一方向上所述中间区的尺寸为20mm，第二方向上所述中间区的尺寸为15mm，第三方向上所述中间区的尺寸为0.2mm；

第一方向上所述固定区的尺寸为7mm，第二方向上所述固定区的尺寸为35mm，第三方向上所述固定区的尺寸为0.2mm。

2.根据权利要求1所述的用于层状单晶样品退孪晶的装置，其特征在于，所述中间区与过渡区的连接处及过渡区与固定区的连接处均包括弧形过渡部。

3.根据权利要求1所述的用于层状单晶样品退孪晶的装置，其特征在于，所述中间区的两侧边部呈直边；

所述过渡区的两侧边部呈逐渐聚拢的斜边。

4.根据权利要求1所述的用于层状单晶样品退孪晶的装置，其特征在于，所述装置还包括有形成于金属外框上的用以与外部设备连接的连接部。

5.根据权利要求1所述的用于层状单晶样品退孪晶的装置，其特征在于，所述金属外框的材质为因瓦合金；所述金属片的材质为6061铝合金。

6.根据权利要求1所述的用于层状单晶样品退孪晶的装置，其特征在于，所述装置包括两个排列于金属片两端的且与金属外框固定的夹持固定件，所述金属片位于两夹持固定件之间；两个夹持固定件被配置为将金属片夹持固定在金属外框内。

7.一种采用如权利要求1-6任意一项所述的装置的用于层状单晶样品退孪晶的方法，其特征在于，所述方法包括：

将金属片的两端与金属外框固定；

将层状单晶样品固定于金属片上；

低温环境下，由于金属外框的热膨胀系数小于金属片的热膨胀系数，金属片受到拉力并将拉伸应变传递给样品；

对样品进行分析；

所述分析包括各项异性电阻率测试或弹性中子衍射测量。

8.根据权利要求7所述的用于层状单晶样品退孪晶的方法，其特征在于，

金属片两端通过夹持固定件固定于金属外框内，所述方法进一步包括：

在金属片与夹持固定件以及金属外框的接触位置均匀涂抹STYCAST 2850FT胶水，并在65℃温度下，持续2小时烤干。