[发明专利]发光二极管及发光装置有效

专利信息
申请号: 202210401670.9 申请日: 2022-04-18
公开(公告)号: CN114497314B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 谢昆达;林芳芳;韩涛;杨欣欣;温兆军;张中英 申请(专利权)人: 泉州三安半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 杨泽奇;包爱萍
地址: 362343 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 发光 装置
【说明书】:

发明涉及半导体光电器件技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置。为解决现有发光二极管的金属层在绝缘层上的附着力不足,所述发光二极管包括:半导体外延叠层,其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层;界面过渡层,位于所述半导体外延叠层之上;所述界面过渡层包括绝缘金属氧化物、或者绝缘金属氧化物的叠层;所述界面过渡层与所述半导体外延叠层之间设有第一绝缘层;金属层,覆盖部分所述界面过渡层表面,并与所述半导体外延叠层电性连接。本发明提供的发光二极管具有高可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体光电器件技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管(英文Light Emitting Diode,简称LED)包含有不同的发光材料及发光部件,是一种固态半导体发光元件。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。现有发光二极管的金属层在绝缘层上的附着力不足。

发明内容

为解决现有发光二极管的金属层在绝缘层上的附着力不足,本发明提供一种具有高可靠性的发光二极管。

本发明实施例所采用的技术方案如下:

具体来说,本发明一实施例提供一种发光二极管,包括:

半导体外延叠层,其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层;

界面过渡层,位于所述半导体外延叠层之上;

所述界面过渡层与所述半导体外延叠层之间设有第一绝缘层;

金属层,覆盖部分所述界面过渡层表面,并与所述半导体外延叠层电性连接。

本发明通过设置包括绝缘金属氧化物或绝缘金属氧化物的叠层的界面过渡层以提高金属层与绝缘层之间的附着力,从而提高发光二极管的可靠性。

本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图;在下面描述中附图所述的位置关系,若无特别指明,皆是图示中组件绘示的方向为基准。

图1为本发明一实施例的发光二极管的俯视示意图;

图2为本发明实施例一的发光二极管的侧视剖面示意图;

图2A所示出的是图2虚线框中结构的放大示意图;

图2B所示出的是本发明实施例二在图2虚线框中结构的放大示意图;

图2C所示出的是本发明实施例一的变形例在图2虚线框中结构的放大示意图;

图2D所示出的是本发明实施例一的另一变形例在图2虚线框中结构的放大示意图;

图3为本发明实施例三的发光二极管的侧视剖面示意图;

图3A所示出的是图3虚线框中结构的放大示意图;

图4为本发明实施例四的发光二极管剖面示意图;

图5为图4所示实施例四的发光二极管变形例的剖面示意图;

图6为本发明实施例五的发光二极管剖面示意图;

图7为图6所示实施例五的发光二极管变形例的剖面示意图;

图8为本发明实施例六的发光二极管的部分结构俯视示意图;

图9为实施例六所提供的发光二极管的侧视示意图;

图9A所示出的是图A虚线框中结构的放大示意图;

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