[发明专利]晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202210407375.4 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114899126A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;C23C18/16 |
| 代理公司： | 绍兴市知衡专利代理事务所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 邓爱民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单面 化学 方法 半导体器件 制造 | ||
1.晶圆单面化学镀方法，其特征在于，包括：
提供一侧形成Taiko环的晶圆；
提供刚性支撑板；
将所述Taiko环的端面与所述刚性支撑板紧密相连；
将所述紧密相连的所述晶圆以及所述刚性支撑板进行化学镀处理；
分离所述化学镀处理后的所述晶圆与所述刚性支撑板。
2.根据权利要求1所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：将所述Taiko环的端面与所述刚性支撑板紧密相连包括：在所述刚性支撑板的一侧表面和/或所述Taiko环的端面涂覆临时键合胶，将所述Taiko环的端面与所述刚性支撑板粘接，然后固化处理。
3.根据权利要求2所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述临时键合胶包括光敏胶和LTHC涂布液，所述刚性支撑板采用透光板；
所述LTHC涂布液涂覆于所述刚性支撑板的一侧表面，然后进行第一次固化形成LTHC涂层；
在所述Taiko环的端面涂覆所述光敏胶，将所述刚性支撑板具有所述LTHC涂层的一面与所述Taiko环的端面上的所述光敏胶粘接，然后进行第二次固化。
4.根据权利要求3所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述刚性支撑板采用玻璃板或亚克力板。
5.根据权利要求3所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述第一次固化采用加热固化的方式，所述第一次固化的温度为220℃～300℃，所述第一次固化的时间为200s～300s。
6.根据权利要求3所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述第二次固化采用紫外线照射固化的方式。
7.根据权利要求3所述的晶圆单面化学镀方法，其特征在于：所述分离所述化学镀处理后的所述晶圆与所述刚性支撑板采用激光照射方式。
8.半导体器件制造方法，其特征在于：包括如权利要求1-7任一项所述的晶圆单面化学镀方法。
9.半导体器件，其特征在于：采用如权利要求8所述的半导体器件制造方法制造而成。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件为IGBT。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
