[发明专利]一种漫反射式光电传感器抗干扰方法、设备及介质

权利要求书

1.一种漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

S100、获取目标光电传感器对应的初始发射端频率K⁰，K⁰符合如下条件：

，T是指目标光电传感器对应的发射端信号周期；

S200、基于K⁰和预设发射端频率K={K₁，K₂，……，K_m}，获取目标光电传感器对应的目标发射端频率，K_j是指第j个预设发射端频率，j=1……m，m为预设发射端频率个数；

S300、从K中删除目标光电传感器对应的目标发射端频率，构建成中间发射端频率列表；

S400、从中间发射端频率列表中获取任一中间发射端频率作为指定光电传感器的发射端频率，其中，所述指定光电传感器是指与目标光电传感器相邻的光电传感器。

2.根据权利要求1所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，所述目标光电传感器为漫反射式光电传感器。

3.根据权利要求1所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，T符合如下条件：

，W为目标光电传感器对应的光信号的角频率。

4.根据权利要求3所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，在S100步骤中还通过如下步骤获取W：

S101、获取目标光电传感器对应的相位值列表B={B₁，B₂，……，B_p}，B_q是指目标光电传感器对应的第q个相位值，q=1……p，p为相位值数量且p≥3，B_q符合如下条件：

B_q=H×f(W×T_q+Ф_q)，其中，H为目标光电传感器对应的光信号的振幅，Ф_q为目标光电传感器对应的正弦量的初相角，f（）为目标光电传感器对应的相位函数，T_q为B_q对应的时间点；

S103、根据B，获取W，其中，W符合如下条件：

，其中，T₁为B₁对应的时间点，f'（）为f（）的反函数。

5.根据权利要求1所述的漫反射式光电传感器抗干扰方法，其特征在于，在S200步骤中还通过如下步骤获取目标光电传感器对应的目标发射端频率：

S201、根据K⁰和K，获取目标光电传感器对应的发射端频率差列表D={D₁，D₂，……，D_m}，D_j符合如下条件：

D_j=│K ⁰- K_j│；

S203、遍历D且当D中最小频率差值的数量≤预设的数量阈值Z₀时，获取D中最小频率差值对应的预设发射端频率作为目标光电传感器对应的目标发射端频率；

S205、当D中最小频率差值的数量＞Z₀时，获取D对应的关键发射端频率列表K'，其中，K'中关键发射端频率是指在D中最小频率差值对应的任一预设发送端频率；

S207、将K'中任一关键发射端频率作为目标光电传感器对应的目标发射端频率。