[发明专利]半导体装置、半导体装置封装和其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210408400.0 申请日: 2022-04-19
公开(公告)号: CN115602649A 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 田兴国;李志成 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/482;H01L23/485
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装 制造 方法
【说明书】:

发明提供一种半导体装置、一种半导体装置封装和一种制造半导体装置封装的方法。所述半导体装置包含电子部件和第一保护层。所述电子部件包含突出到所述电子部件的第一表面之外的第一导电衬垫。所述第一保护层覆盖所述第一导电衬垫的外部表面。所述电子部件的所述第一表面从所述第一保护层暴露。

技术领域

本公开大体上涉及一种半导体装置、半导体装置封装以及一种制造半导体装置封装的方法。

背景技术

随着电子行业的快速发展以及半导体制程技术的进步,半导体芯片与较多的电子部件集成以实现改良的电气性能和额外功能。因此,电子部件可嵌入衬底中以减小封装的大小,从而大量电子部件可集成到封装中。

发明内容

在一或多个实施例中,一种半导体装置包含电子部件和第一保护层。所述电子部件包含突出到所述电子部件的第一表面之外的第一导电衬垫。所述第一保护层覆盖所述第一导电衬垫的外部表面。所述电子部件的所述第一表面从所述第一保护层暴露。

在一或多个实施例中,一种半导体装置封装包含衬底、电子部件和填充材料。所述衬底界定腔。所述电子部件安置于所述腔中。所述电子部件包含导电衬垫。所述填充材料在所述腔中。所述填充材料和所述导电衬垫通过元件分隔开。

在一或多个实施例中,一种半导体装置封装包含衬底、电子部件、保护层和第一电路层。所述电子部件嵌入所述衬底中。所述电子部件包含导电衬垫。所述保护层嵌入所述衬底中且覆盖所述导电衬垫的外部表面。所述第一电路层在所述衬底上且与所述保护层间隔开。所述第一电路层电连接到所述电子部件。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述时,会从中最好地理解本公开的各方面。应注意,各种特征可能未按比例绘制,且各种特征的尺寸可能为了论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图;

图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的一部分的俯视图;

图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的一部分的横截面图;

图2C说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的一部分的横截面图;

图3说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图;

图4A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的一部分的横截面图;

图4B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的一部分的横截面图;

图4C说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的一部分的横截面图;

图4D说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的一部分的横截面图;

图5说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图;

图6说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图;

图7A、图7B、图7C、图7D、图7E、图7F、图7G、图7H、图7I、图7J、图7K和图7L说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法中的各种操作;以及

图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F和图8G说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法中的各种操作。

贯穿各图和详细描述使用共同参考标号以指示相同或类似元件。根据以下结合附图作出的详细描述,本公开将更加显而易见。

具体实施方式

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