[发明专利]以低共熔溶剂为结晶致孔剂的多孔晶胶的制备方法

权利要求书

1.以低共熔溶剂为结晶致孔剂的多孔晶胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将反应单体溶解于低共熔溶剂中，得混合溶液1；

(2)将交联剂、氧化剂和还原剂依次溶解于所述的混合溶液1中，得混合溶液2；

(3)将所述的混合溶液2排出气泡后，置于-10～-30℃下冷冻24～48h，再在去离子水中解冻5～30min，得湿态晶胶；

(4)重复采用去离子水或乙醇浸泡处理所述的湿态晶胶，去除去未反应物质和低共熔溶剂后，进行真空干燥处理，得所述的多孔晶胶。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述的步骤(1)中，混合溶液1中反应单体与低共熔溶剂的质量比为2～10:100；

所述的低共熔溶剂中含有氢键供体和氢键受体，氢键供体和氢键受体的摩尔比为1.5～1:1～2.125。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

所述的氢键供体为1,6-己二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇中的至少一种；

所述的氢键受体为四丁基氯化铵、四丁基溴化铵中的至少一种；

所述的反应单体为甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸羟乙酯、4-乙烯基吡啶中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

所述的低共熔溶剂的制备过程为：将氢键供体和氢键受体在30～100℃混合，至形成澄清液体，得所述的低共熔溶剂。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述的步骤(2)中，交联剂、氧化剂、还原剂与反应单体摩尔比为(5～100)：(1～10)：(1～10)：100。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述的步骤(2)中，交联剂为聚乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述的步骤(3)中，采用超声处理的方式排除气泡。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述的步骤(4)中，用去离子水或乙醇浸泡所述的湿态晶胶，1～2h后更换去离子水或乙醇，重复该步骤5～10次，去除去未反应物质和低共熔溶剂。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述的步骤(4)中，真空干燥的温度为40～60℃，时间为6～24h。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述的多孔晶胶孔隙的孔径为0.1～100μm，孔隙率为80～95％。