[发明专利]一种具有强穿通的非对称快速晶闸管

权利要求书

1.一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：从上往下依次设置有阴极AL层(10)、阴极P区(22)，N-基区(30)，阳极N缓冲层(42)，阳极高浓度P+区(41)和阳极AL层(50)，在阴极AL层(10)与阴极P区(22)之间设有阴极高浓度N+区(20)和P+区(21)。

2.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述正向阻断电场在阳极N缓冲层(42)中截止，所述反向阻断电场穿通过阳极N缓冲层(42)在N-基区(30)中截止，所述正向阻断电压与反向阻断电压是非对称的。

3.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阴极N+区(20)深度为10～20μm，掺杂浓度为1×10¹⁹～1×10²⁰cm^-3。

4.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阴极P+区(21)深度为10～20μm，掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10¹⁹cm^-3。

5.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阴极P区(22)深度为45～140μm，掺杂浓度为1×10¹⁴～1×10¹⁷cm^-3。

6.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述N-基区(23)厚度为200～500μm，掺杂浓度为5×10¹²～1×10¹⁴cm^-3。

7.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阳极N缓冲层(42)掺杂浓度为1×10¹⁴～1×10¹⁶，结深为10～30μm；。

8.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阳极P+区(41)深度为10～20μm，掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10¹⁹cm^-3。

9.根据权利要求7所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：当反向阻断电压为100～500V时，对应的阳极N缓冲层(42)浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁶，深度为10～20μm；反向阻断电压为500～2000V时，对应的阳极N缓冲层(42)浓度为1×10¹⁴～1×10¹⁵，深度为20～30μm。