[发明专利]一种简易型原子层沉积设备的沉积方法

权利要求书

1.一种简易型原子层沉积设备，其特征在于：包括反应腔体(1)，所述反应腔体(1)包括上盖(2)和载盘(3)，所述上盖(2)与外部的气路系统(4)连通，所述气路系统(4)下方与前驱体源瓶(5)和惰性气体连接口(6)连通，所述载盘(3)下方连通有抽气系统(7)，所述抽气系统(7)与热肼(8)连接，所述上盖(2)下表面设有气体输送气孔(9)，所述载盘(3)下部为加热腔(10)，所述加热腔(10)内设有圆形沟槽的加热丝(11)。

2.一种如权利要求1所述的简易型原子层沉积设备的沉积方法，其特征在于：步骤如下：

A、载盘(3)上放置基片，将前驱体源瓶(5)中的前驱体源TMA用载气通过气路系统(4)输送到气孔(9)通入反应腔体(1)中，在基片表面进行化学吸附反应；

B、惰性气体连接口(6)连接惰性气体，通入反应腔体(1)，进行吹扫，同时抽气系统(7)抽气，把过量的TMA、甲烷等反应副产物抽出至热肼(8)，后接真空泵，尾气处理系统排出；

C、将水源通入反应腔体(1)，和步骤A中基片表面化学吸附的TMA继续进行表面化学反应；

D、再次向反应腔体(1)通入惰性气体，吹扫清除多余的水源和反应副产物甲烷；

E、步骤A至步骤D为一个循环，一个循环生长0.1～0.12纳米的氧化铝，通过设定循环次数精准的控制所需氧化铝薄膜的厚度。

3.根据权利要求2所述的一种简易型原子层沉积设备的沉积方法：其特征在于：所述步骤A中化学吸附反应与步骤C中表面化学反应的具体反应式为：

化学吸附反应：Al(CH₃)₃(g)+Al-OH^*(s)→Al-O-Al(CH₃)₂^*(s)+CH₄(g)；

表面化学反应：H₂O(g)+Al(CH₃)^*(s)→Al-OH^*(s)+CH₄(g)。