[发明专利]多层电子组件在审
申请号: | 202210424104.X | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN114709076A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 田镐仁;金璟俊;千珍晟;申旴澈;金智慧 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/005 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 赵伟;包国菊 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 电子 组件 | ||
1.一种多层电子组件,包括:
主体,包括介电层和内电极;以及
外电极,包括设置在所述主体上并且连接到所述内电极的电极层、设置在所述电极层上的第一镀层以及设置在所述第一镀层上的导电树脂层,
其中,所述第一镀层在与所述导电树脂层的交界处的表面粗糙度比所述第一镀层在与所述电极层的交界处的表面粗糙度大,
其中,所述导电树脂层包括导电金属和基体树脂,
其中,所述第一镀层包括从由Cu、Sn、Ni及它们的合金组成的组中选择的一种或更多种,并且
其中,所述第一镀层在与所述导电树脂层的交界处具有表面粗糙度的区域中包括包含Cu的氧化物。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一镀层在与所述导电树脂层的交界处的中线平均粗糙度为150nm至500nm。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一镀层的厚度为300nm至2000nm。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述包含Cu的氧化物包括Cu2O。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述包含Cu的氧化物包括CuO。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一镀层在与所述导电树脂层的交界处具有金属间化合物层,所述金属间化合物层包含Sn。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述外电极还包括设置在所述导电树脂层上的第二镀层。
8.根据权利要求7所述的多层电子组件,其中,所述第二镀层包括设置在所述导电树脂层上的Ni镀层以及设置在所述Ni镀层上的Sn镀层。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述电极层包含导电金属和玻璃。
10.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述电极层包含Cu和玻璃,并且所述第一镀层为Cu镀层。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述基体树脂包括环氧基树脂。
12.一种多层电子组件,包括:
主体,包括交替堆叠的第一内电极和第二内电极,并且介电层在所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及
第一外电极和第二外电极,分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,并且均包括设置在所述主体上并且连接到相应的所述第一内电极或所述第二内电极的电极层、设置在所述电极层上的第一镀层以及设置在所述第一镀层上的导电树脂层,
其中,每个第一镀层在与所述导电树脂层的交界处的中线平均粗糙度为150nm至500nm,
其中,每个第一镀层包括从由Cu、Sn、Ni及它们的合金组成的组中选择的一种或更多种,并且
其中,所述第一镀层在与所述导电树脂层的交界处具有表面粗糙度的区域中包括包含Cu的氧化物。
13.根据权利要求12所述的多层电子组件,其中,每个第一镀层的厚度为300nm至2000nm。
14.根据权利要求12所述的多层电子组件,其中,每个第一镀层在与所述导电树脂层的交界处具有金属间化合物层,所述金属间化合物层包含Sn。
15.根据权利要求12所述的多层电子组件,其中,每个电极层包含导电金属和玻璃。
16.根据权利要求12所述的多层电子组件,其中,每个第一镀层在与所述导电树脂层的交界处的表面粗糙度比每个第一镀层在与所述电极层的交界处的表面粗糙度大。
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