[发明专利]细胞实例分割模型构建方法、细胞实例分割方法和装置有效

专利信息
申请号: 202210424230.5 申请日: 2022-04-22
公开(公告)号: CN114550171B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 王华嘉;吕行;邝英兰;范献军;黄仁斌;叶莘 申请(专利权)人: 珠海横琴圣澳云智科技有限公司
主分类号: G06V20/69 分类号: G06V20/69;G06V10/26;G06V10/44;G06V10/764;G06V10/774;G06K9/62
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 赵兴
地址: 519031 广东省珠海市横琴新区粤澳合作*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 细胞 实例 分割 模型 构建 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种细胞实例分割模型构建方法,其特征在于,包括:

对样本细胞图像中的各个细胞进行掩膜标注,得到各个细胞的掩膜标注值;对任一细胞的掩膜标注值分别进行膨胀和腐蚀操作,得到所述任一细胞的掩膜膨胀结果和掩膜腐蚀结果,并基于所述任一细胞的掩膜膨胀结果与掩膜腐蚀结果之间的差异,确定所述任一细胞的边缘区域;所述任一细胞的边缘区域包括所述任一细胞的边界以外的区域和所述任一细胞的边界以内的区域;

确定任一细胞的边缘区域内各个边缘像素的权重值和所述任一细胞的中心像素的权重值;任一细胞的中心像素为所述任一细胞的掩膜标注值中位于所述任一细胞的边缘区域以外的像素,任一细胞的边缘像素的权重值大于所述任一细胞的中心像素的权重值;

基于各个细胞的边缘像素和中心像素的权重值,分别确定所述各个细胞对应的分割损失,并基于所述各个细胞对应的分割损失,更新所述细胞实例分割模型的模型参数;

所述确定任一细胞的边缘区域内各个边缘像素的权重值,具体包括:

若所述任一细胞的任一边缘像素与所述任一细胞的细胞边界之间的距离为第一距离,则将默认权重值与第一超参数的乘积作为所述任一边缘像素的权重值;若所述任一细胞的任一边缘像素与所述任一细胞的细胞边界之间的距离为第二距离,则将默认权重值与第二超参数的乘积作为所述任一边缘像素的权重值;所述第一超参数和所述第二超参数均大于1,且所述第一超参数大于所述第二超参数;

其中,位于所述任一细胞的第二边缘区域内的边缘像素与所述任一细胞的细胞边界之间的距离被设定为第一距离,位于所述任一细胞的第一边缘区域内且不在第二边缘区域内的边缘像素与所述任一细胞的细胞边界之间的距离被设定为第二距离,所述第一距离小于所述第二距离;所述第一边缘区域是基于第一卷积核尺寸,对所述任一细胞的掩膜标注值分别进行膨胀和腐蚀操作后得到的,所述第二边缘区域是基于第二卷积核尺寸,对所述任一细胞的掩膜标注值分别进行膨胀和腐蚀操作后得到的,所述第一卷积核尺寸大于所述第二卷积核尺寸。

2.根据权利要求1所述的细胞实例分割模型构建方法,其特征在于,所述对任一细胞的掩膜标注值分别进行膨胀和腐蚀操作,得到所述任一细胞的掩膜膨胀结果和掩膜腐蚀结果,并基于所述任一细胞的掩膜膨胀结果与掩膜腐蚀结果之间的差异,确定所述任一细胞的边缘区域,具体包括:

基于所述第一卷积核尺寸,对所述任一细胞的掩膜标注值分别进行膨胀和腐蚀操作,得到所述任一细胞的第一掩膜膨胀结果和第一掩膜腐蚀结果,并基于所述任一细胞的第一掩膜膨胀结果和第一掩膜腐蚀结果之间的差异,确定所述任一细胞的第一边缘区域;

基于所述第二卷积核尺寸,对所述任一细胞的掩膜标注值分别进行膨胀和腐蚀操作,得到所述任一细胞的第二掩膜膨胀结果和第二掩膜腐蚀结果,并基于所述任一细胞的第二掩膜膨胀结果和第二掩膜腐蚀结果之间的差异,确定所述任一细胞的第二边缘区域;

其中,所述边缘区域包括所述第一边缘区域和所述第二边缘区域。

3.根据权利要求1所述的细胞实例分割模型构建方法,其特征在于,所述第一超参数是基于所述任一细胞的掩膜面积与所述第二边缘区域的面积之间的比值确定的;所述第二超参数是基于所述任一细胞的掩膜面积与所述第一边缘区域的面积之间的比值确定的;所述任一细胞的掩膜面积是基于所述任一细胞的掩膜标注值确定的。

4.根据权利要求1所述的细胞实例分割模型构建方法,其特征在于,所述对任一细胞的掩膜标注值分别进行膨胀和腐蚀操作,之前还包括:

基于任一细胞的掩膜标注值以及所述任一细胞的相邻细胞的掩膜标注值,确定所述任一细胞的中心点以及所述任一细胞的相邻细胞的中心点;

基于所述任一细胞的中心点以及所述任一细胞的相邻细胞的中心点,确定所述任一细胞与所述任一细胞的相邻细胞的密集程度;

基于所述任一细胞与所述任一细胞的相邻细胞的密集程度,确定所述任一细胞对应的卷积核尺寸;其中,所述任一细胞与所述任一细胞的相邻细胞的密集程度越高,所述任一细胞对应的卷积核尺寸越大;所述任一细胞对应的卷积核尺寸用于对所述任一细胞的掩膜标注值进行膨胀和腐蚀操作。

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