[发明专利]光电半导体的结构

权利要求书

1.一种光电半导体的结构，其特征在于，其包含：

一基板；

一第一电极，其设置于该基板上；

一电极接点，其设置于该基板上，并设于该第一电极的一侧；

一半导体层，其设置于该第一电极及该电极接点的上方，该半导体层包含一第一界面层以及一光活性层，该光活性层覆设于第一界面层上，该第一界面层一侧覆设于该第一电极及该电极接点上；以及

一第二电极，其覆设于该半导体层上；

其中，当该光活性层吸收一光源产生一激子后，该激子分离为一第一载子跟一第二载子，该第一载子透过该第一界面层传递至该第一电极，进一步，该第二载子透过一穿隧效应直接由该第二电极传递至该电极接点。

2.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该基板为硅基板、聚酰亚胺基版、玻璃基板、聚苯二甲酸乙二酯基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板、蓝宝石基板、石英基板或陶瓷基板，该第一电极为金属氧化物、金属或合金。

3.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该电极接点为金属氧化物、金属或合金。

4.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该半导体层布满于该第一电极及该电极接点的周围。

5.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该第一界面层为金属氧化物，金属化合物、无机半导体薄膜、碳基薄膜、有机半导体、有机绝缘体材料，该第一界面层具有一第一厚度，该第一厚度为1 nm至99 nm。

6.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该光活性层的一能隙为1.1至2 eV。

7.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该光活性层具有一第二厚度，该第二厚度介于1 nm至2000 nm。

8.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该第二电极为金属氧化物、金属、导电高分子、碳基导体、金属化合物，或由上述材料交替组成的导电薄膜。

9.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该半导体层更包含一第二界面层，其设置于该光活性层的上方，该光活性层夹设于该第一界面层及该第二界面层之间。

10.如权利要求9所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该第二界面层为金属氧化物，金属化合物、无机半导体薄膜、碳基薄膜、有机半导体、有机绝缘体材料，该第二界面层具有一第三厚度，该第三厚度为1 nm至99 nm。