[发明专利]图像感测装置在审
申请号: | 202210427006.1 | 申请日: | 2022-04-22 |
公开(公告)号: | CN115377132A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 李庚寅;金元振;吴薰翔;洪性柱 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 杨雪玲;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 装置 | ||
一种图像感测装置包括:像素阵列,其包括多个像素,每个像素被配置为生成与入射光的强度相对应的像素信号;以及多个栅格结构,每个栅格结构被设置为与多个像素当中的相邻像素之间的边界交叠并且被配置为包括空气层以将相邻像素光学隔离。每个栅格结构包括形成十字形状的区域。
技术领域
本专利文档中公开的技术和实现总体上涉及包括彼此相邻的滤色器的图像感测装置。
背景技术
图像感测装置是通过使用对光起反应的光敏半导体材料将光转换成电信号来捕获光学图像的装置。随着汽车、医疗、计算机和通信行业的发展,在诸如智能电话、数码相机、游戏机、IoT(物联网)、机器人、安全相机和医疗微型相机之类的各种装置中,对高性能图像感测装置的需求日益增加。
图像感测装置大致可以分为CCD(Charge Coupled Device:电荷耦合器件)图像感测装置和CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:互补金属氧化物半导体)图像感测装置。与CMOS图像感测装置相比,CCD图像感测装置提供更好的图像质量,但是它们趋向于消耗更多的功率并且体型更大。CMOS图像感测装置与CCD图像感测装置相比尺寸更小并且功耗更低。此外,可以使用CMOS制造技术,以将光敏元件和其它信号处理电路集成到单个芯片中,使得能够以低成本生产小型化的图像感测装置。由于这些原因,正在为包括移动装置在内的许多应用开发CMOS图像感测装置。
发明内容
所公开技术的多个实施方式涉及包括高稳定性空气栅格结构的图像感测装置。该专利文档中提出的空气栅格结构即使在包括空气栅格结构的图像传感器中气压增加时也具有高稳定性。
根据所公开技术的实施方式,一种图像感测装置可以包括:像素阵列,其包括多个像素,每个像素被配置为生成与入射光的强度相对应的像素信号;以及多个栅格结构,每个栅格结构被设置为与多个像素当中的相邻像素之间的边界交叠并且被配置为包括空气层以使相邻像素光学隔离。每个栅格结构包括形成十字形状的区域。
根据所公开技术的另一实施方式,一种图像感测装置可以包括像素,其被配置为生成与入射光的强度相对应的像素信号并包括第一顶点至第四顶点;以及多个栅格结构,每个栅格结构设置在第一顶点至第四顶点中的任何一个处并且包括填充有空气的空气层。每个栅格结构具有十字形状。
应理解,所公开技术的前述概括描述和以下详细描述都是示例性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
参照结合附图考虑的以下详细描述,所公开技术的以上和其它特征和有益方面将变得显而易见。
图1是例示了基于所公开技术的一些实现的图像感测装置的示例的框图。
图2是例示了基于所公开技术的一些实现的图1所示的像素阵列的示例的示意图。
图3是例示了基于所公开技术的一些实现的图1所示的像素阵列的另一示例的示意图。
图4A是例示了基于所公开技术的一些实现的沿着图2所示的第一切割线或图3所示的第三切割线截取的像素阵列的示例的截面图。
图4B是例示了基于所公开技术的一些实现的沿着图2所示的第一切割线或图3所示的第三切割线截取的像素阵列的另一示例的截面图。
图5A是例示了基于所公开技术的一些实现的沿着图2所示的第二切割线截取的像素阵列的示例的截面图。
图5B是例示了基于所公开技术的一些实现的沿着图2所示的第二切割线截取的像素阵列的另一示例的截面图。
图6A是例示了基于所公开技术的一些实现的沿着图3所示的第四切割线截取的像素阵列的示例的截面图。
图6B是例示了基于所公开技术的一些实现的沿着图3所示的第四切割线截取的像素阵列的另一示例的截面图。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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