[发明专利]一种适用于Mg3

权利要求书

1.一种适用于Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂基热电材料的阻挡层，其特征在于：所述阻挡层为金属铌或其合金。

2.根据权利要求1所述的阻挡层，其特征在于：所述阻挡层为铌粉、铌箔以及通过蒸镀或电镀方式沉积得到的铌基金属层。

3.根据权利要求1所述的阻挡层，其特征在于：所述阻挡层厚度为0.1微米-2毫米。

4.根据权利要求1所述的阻挡层，其特征在于：所述热电材料为基于Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂固溶体的化合物。

5.根据权利要求1所述的阻挡层，其特征在于：所述Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂固溶体采用真空熔炼或球磨的方法合成粉体，并结合烧结技术制备成块体或利用粉体原料通过一步烧结得到块体。

6.一种适用于Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂基热电材料的阻挡层的使用方法，包括：

(1)按照Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂固溶体的化学计量比称量相应原料，并放入球磨罐中球磨，得到Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂基热电材料的粉体；

(2)将Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂基热电材料的粉体和0.1微米-2毫米的金属铌或其合金按照热电材料粉体、金属铌或其合金、热电材料粉体的三层结构装入石墨模具中，转移至放电等离子烧结炉，在700～800℃下烧结3～5分钟，即可。

7.根据权利要求6所述的使用方法，其特征在于：所述步骤(1)中的球磨转速为500-600rpm，球磨时间为12-20h。

8.一种权利要求1-5中任一项所述的适用于Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂基热电材料的阻挡层在连接Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂基热电材料和金属电极材料中的应用。

9.一种权利要求1-5中任一项所述的适用于Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂基热电材料的阻挡层在Mg₃Sb₂-Mg₃Bi₂基热电材料互连中的应用。