[发明专利]一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法

权利要求书

1.一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在惰性气体氛围中将铁粉，锗粉，硒粉和碲粉充分研磨，按照铁粉:锗粉:硒粉:碲粉的摩尔比例为1-x : x : 1-y : y进行混合，x=0~0.08且x不为0，y=0.3~0.5，将均匀混合的粉末放在模具中进行压片，得到混合粉末坯体；

将上述混合粉末坯体放置在坩埚中，再将坩埚放置在石英管中，将石英管进行真空封管处理，将真空处理好的石英管放置在管式炉中进行烧结，烧结结束后取出淬火，得到Ge掺杂FeSeTe材料；

2）将上述制备的Ge掺杂FeSeTe材料在惰性气体氛围中研磨，将所得粉末装进模具中进行压片，将压好的胚体放置在坩埚中，再将坩埚放置在石英管中，将石英管进行真空封管处理，将真空处理好的石英管放置在管式炉中进行烧结，然后取出淬火。

2.根据权利要求1所述的一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，铁粉纯度≥99.8%，锗粉纯度≥99.99%，硒粉纯度≥99.99%，碲粉纯度≥99.99%。

3.根据权利要求1所述的一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，步骤1）的烧结过程为：以1~3℃/分钟的升温速率从室温升温至850~1150℃，保温25~50小时，然后以5~15℃/分钟的速率降温至300~500℃，保70~120。

4.根据权利要求1所述的一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，步骤2）的烧结过程为：以1~3℃/分钟的升温速率从室温升温至350~550℃，保温时间24~60小时。

5.根据权利要求1所述的一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，步骤1）和步骤2）中，研磨时间为30~90分钟，压片时间为3~15分钟。

6. 根据权利要求1所述的一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，其特征在于，步骤1）和步骤2）中，真空封管真空度为1.5~2.5 Pa。