[发明专利]一种纳米复合高熵氮化物涂层及其复合沉积方法在审
申请号: | 202210431786.7 | 申请日: | 2022-04-22 |
公开(公告)号: | CN114807849A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 张腾飞;刘彦甫;李海庆;王启民 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/32;C23C14/02;C23C14/35;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人: | 侯腾腾 |
地址: | 510006 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 复合 氮化物 涂层 及其 沉积 方法 | ||
1.一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,所述纳米复合高熵氮化物涂层为非晶SiNx包裹高熵(TiAlCrNbV)N纳米晶的复合结构;所述纳米复合高熵氮化物涂层的分子式为TiaAlbCrcNbdVeSifN,其中各原子百分含量为:0.07a0.25、0.15b0.45、0.08c0.35、0.08d0.25、0.08e0.25、0.01f0.20,且满足a+b+c+d+e+f=1。
2.根据权利要求1所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,在所述高熵(TiAlCrNbV)N纳米晶中,Al、Cr、Nb和V是以固溶的形式存在于TiN纳米晶中。
3.根据权利要求1或2所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,所述纳米复合高熵氮化物涂层的复合沉积方法包括如下步骤:
S1、将预处理后的基体材料放入PVD真空腔室,抽真空至1~3×10-3Pa,设置温度为400~600℃;
S2、通入Ar气,并调节真空腔室的气压及偏压,打开Cr靶电弧阴极,对基体采用Cr离子进行刻蚀预处理;
S3、关闭Ar气,通入N2气,调节气压及偏压,在基体上用Cr靶电弧沉积CrN过渡层;
S4、关闭电弧Cr靶,通入Ar和N2混合气体,调节总气压、氮气分压及偏压,同时打开脉冲电弧TiaAlbCrcNbdVe靶和磁控溅射Si靶,并调节脉冲电弧靶电流和磁控溅射靶功率,在基体上沉积得纳米复合高熵氮化物硬质涂层。
4.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,所述基体材料为硬质合金或聚晶立方氮化硼材料。
5.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,所述预处理为将基体进行抛光处理,后分别用金属离子清洗液和无水乙醇对基体超声清洗,吹干。
6.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层的复合沉积方法,其特征在于,步骤S2中,所述气压为2~4Pa,所述偏压为-800~-1000V,所述刻蚀的时间为5~20min,所述Cr靶材的电流为60~150A。
7.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,步骤S3中,所述N2气的通入流量为200~300sccm,所述气压为1~3Pa,所述偏压为-50~-200V,所述Cr靶材的电流为60~150A,所述沉积的时间为5~20min。
8.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,步骤S4中,所述混合气体的总气压0.5~2.0Pa,所述氮气在所述混合气体的分压比为40%~80%,所述偏压为-60~-150V,所述脉冲电弧靶的靶电流为60~150A,所述磁控溅射靶的功率为2~10Kw,所述沉积时间1~4小时。
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