[发明专利]一种纳米复合高熵氮化物涂层及其复合沉积方法在审

专利信息
申请号: 202210431786.7 申请日: 2022-04-22
公开(公告)号: CN114807849A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 张腾飞;刘彦甫;李海庆;王启民 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/32;C23C14/02;C23C14/35;B82Y30/00
代理公司: 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 代理人: 侯腾腾
地址: 510006 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 复合 氮化物 涂层 及其 沉积 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,所述纳米复合高熵氮化物涂层为非晶SiNx包裹高熵(TiAlCrNbV)N纳米晶的复合结构;所述纳米复合高熵氮化物涂层的分子式为TiaAlbCrcNbdVeSifN,其中各原子百分含量为:0.07a0.25、0.15b0.45、0.08c0.35、0.08d0.25、0.08e0.25、0.01f0.20,且满足a+b+c+d+e+f=1。

2.根据权利要求1所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,在所述高熵(TiAlCrNbV)N纳米晶中,Al、Cr、Nb和V是以固溶的形式存在于TiN纳米晶中。

3.根据权利要求1或2所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,所述纳米复合高熵氮化物涂层的复合沉积方法包括如下步骤:

S1、将预处理后的基体材料放入PVD真空腔室,抽真空至1~3×10-3Pa,设置温度为400~600℃;

S2、通入Ar气,并调节真空腔室的气压及偏压,打开Cr靶电弧阴极,对基体采用Cr离子进行刻蚀预处理;

S3、关闭Ar气,通入N2气,调节气压及偏压,在基体上用Cr靶电弧沉积CrN过渡层;

S4、关闭电弧Cr靶,通入Ar和N2混合气体,调节总气压、氮气分压及偏压,同时打开脉冲电弧TiaAlbCrcNbdVe靶和磁控溅射Si靶,并调节脉冲电弧靶电流和磁控溅射靶功率,在基体上沉积得纳米复合高熵氮化物硬质涂层。

4.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,所述基体材料为硬质合金或聚晶立方氮化硼材料。

5.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,所述预处理为将基体进行抛光处理,后分别用金属离子清洗液和无水乙醇对基体超声清洗,吹干。

6.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层的复合沉积方法,其特征在于,步骤S2中,所述气压为2~4Pa,所述偏压为-800~-1000V,所述刻蚀的时间为5~20min,所述Cr靶材的电流为60~150A。

7.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,步骤S3中,所述N2气的通入流量为200~300sccm,所述气压为1~3Pa,所述偏压为-50~-200V,所述Cr靶材的电流为60~150A,所述沉积的时间为5~20min。

8.根据权利要求3所述的一种纳米复合高熵氮化物涂层,其特征在于,步骤S4中,所述混合气体的总气压0.5~2.0Pa,所述氮气在所述混合气体的分压比为40%~80%,所述偏压为-60~-150V,所述脉冲电弧靶的靶电流为60~150A,所述磁控溅射靶的功率为2~10Kw,所述沉积时间1~4小时。

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