[发明专利]层间介质层的形成方法在审
| 申请号： | 202210433789.4 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN115410988A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 田守卫;姜国伟;孙洪福;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 形成 方法 | ||
1.一种层间介质层的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成若干个金属互联结构，若干个所述金属互联结构之间具有沟槽；
在所有所述金属互联结构的表面形成第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所有所述金属互联结构的表面，同时填充所述沟槽，所述第一层间介质层具有尖端；
对所述第一层间介质层进行离子溅射，降低所述尖端的高度或者消除所述尖端；
在溅射后的第一层间介质层上形成第二层间介质层；以及
研磨所述第二层间介质层的表面。
2.如权利要求1所述的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述金属互联结构包括位于所述衬底上的下层互连线、位于所述下层互连线上的中层互连线和位于所述中层互连线上的上层互连线。
3.如权利要求1所述的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述第一层间介质层的材料包括：掺氟二氧化硅。
4.如权利要求1所述的层间介质层的形成方法，其特征在于，通过高密度等离子体形成第一层间介质层。
5.如权利要求1所述的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述第二层间介质层的材料包括：掺氟二氧化硅。
6.如权利要求1所述的层间介质层的形成方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积方法形成第二层间介质层。
7.如权利要求1所述的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述第一层间介质层的高度为：7500埃～8500埃。
8.如权利要求1所述的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述第二层间介质层的高度为：6500埃～7500埃。
9.如权利要求1所述的层间介质层的形成方法，其特征在于，降低所述尖端的高度或者消除所述尖端的高度为450埃～550埃。
10.如权利要求1所述的层间介质层的形成方法，其特征在于，采用Ar和O2进行离子溅射。
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