[发明专利]分栅快闪存储单元及其制备方法

权利要求书

1.一种分栅快闪存储单元，其特征在于，包括：

衬底；

第一分栅结构和第二分栅结构，位于所述衬底上，且均包括由下至上排列的浮栅及擦除栅，所述擦除栅覆盖所述浮栅的部分顶面；

源线层，位于所述第一分栅结构和所述第二分栅结构之间的所述衬底上；

源区，位于所述源线层下方的所述衬底内，且与所述源线层电性连接。

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元，其特征在于，所述第一分栅结构和所述第二分栅结构还均包括第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述擦除栅的顶面及所述擦除栅和所述浮栅靠近所述源线层的侧面。

3.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元，其特征在于，所述第一分栅结构和所述第二分栅结构还均包括第二侧墙和字线栅，所述第二侧墙覆盖对应的所述浮栅及所述擦除栅远离所述源线层的侧面，所述字线栅覆盖对应的所述第二侧墙的表面。

4.如权利要求3所述的分栅快闪存储单元，其特征在于，还包括两个漏区，分别位于每个所述字线栅的外侧的所述衬底内。

5.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元，其特征在于，所述源线层的材质包括多晶硅。

6.一种分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；以及，

形成第一分栅结构和第二分栅结构于所述衬底上，且均包括由下至上排列的浮栅及擦除栅，所述擦除栅覆盖所述浮栅的部分顶面，形成源线层于所述第一分栅结构和所述第二分栅结构之间的所述衬底上，形成源区于所述源线层下方的衬底内，且与所述源线层电性连接。

7.如权利要求6所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，形成所述浮栅、所述擦除栅、所述源线层及所述源区的步骤包括：

在所述衬底上依次形成浮栅材料层、擦除栅材料层及掩模层；

依次刻蚀所述掩模层、所述擦除栅材料层及所述浮栅材料层以形成显露出所述衬底的开口；

对所述开口的底部的所述衬底进行离子注入以在所述开口的底部的所述衬底中形成所述源区；

在所述开口中填充形成所述源线层，所述源线层与所述源区电性连接；以及，

刻蚀去除所述掩模层及所述掩模层正下方的浮栅材料层和擦除栅材料层，所述源线层每侧剩余的浮栅材料层分别作为一个所述浮栅，所述源线层每侧剩余的擦除栅材料层分别作为一个所述擦除栅。

8.如权利要求7所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，形成所述开口的步骤包括：

刻蚀所述掩模层以形成显露出所述擦除栅材料层的第一开口；

在所述第一开口的侧壁上形成第一子侧墙；

以所述第一子侧墙为掩模刻蚀所述擦除栅材料层以形成显露出所述浮栅材料层的第二开口；

在所述第二开口的侧壁上形成第二子侧墙，且所述第二子侧墙覆盖所述第一子侧墙的至少部分表面；

以所述第一子侧墙和所述第二子侧墙为掩模刻蚀所述浮栅材料层以形成显露出所述衬底的第三开口，所述第一开口、所述第二开口及所述第三开口连通构成所述开口；以及，

在所述第三开口的侧壁上形成第三子侧墙，且所述第三子侧墙覆盖所述第二子侧墙的至少部分表面，所述第一子侧墙、所述第二子侧墙及所述第三子侧墙构成第一侧墙。

9.如权利要求7所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，形成所述浮栅和所述擦除栅之后，还包括：

在每个所述擦除栅及所述浮栅远离所述源线层的一侧上形成第二侧墙；以及，

在每个所述第二侧墙的表面上形成字线栅。

10.如权利要求9所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，在形成所述字线栅之后，还包括：

对每个所述字线栅的外侧的衬底进行离子注入以在所述衬底中形成漏区。