[发明专利]闪存器件的制作方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供闪存的前端器件，所述前端器件包括在衬底上依次层叠的栅介质层、浮栅层、复合介质层、控制栅层和具有元胞区开口的掩模层；所述元胞区开口的侧壁形成有侧墙，所述侧墙暴露出部分所述控制栅层；

暴露出的所述控制栅层表面被氧化形成自然氧化层；

形成覆盖所述自然氧化层的牺牲氧化层；

干法刻蚀所述牺牲氧化层和所述自然氧化层以暴露出所述控制栅层；

刻蚀去除暴露出的所述控制栅层及其下方的所述复合介质层。

2.如权利要求1所述的闪存器件的制作方法，其特征在于，所述自然氧化层的厚度为8埃～12埃，所述牺牲氧化层的厚度为15埃～25埃。

3.如权利要求1所述的闪存器件的制作方法，其特征在于，干法刻蚀所述牺牲氧化层和所述自然氧化层的刻蚀时间大于等于5s。

4.如权利要求1所述的闪存器件的制作方法，其特征在于，干法刻蚀所述牺牲氧化层和所述自然氧化层暴露出所述控制栅层的具体工艺为：

刻蚀气体包括Ar、C₄F₆和O₂；Ar的流量为0～1000sccm，C₄F₆的流量为0～100sccm，O₂的流量为25sccm～35sccm；干法刻蚀反应腔的压力为10mtor～500mtor。

5.如权利要求1所述的闪存器件的制作方法，其特征在于，形成所述牺牲氧化层采用快速热氧化工艺，工艺温度为800℃～1000℃，工艺时间为20秒～30秒，工艺气体由氧气和氮气组成，氧气的含量为所述工艺气体的总量的1％～2％。

6.如权利要求1所述的闪存器件的制作方法，其特征在于，形成所述牺牲氧化层采用高纵横比工艺，利用Si(CH₅O)(TEOS)和O₃作为前驱物，通过热过程进行化学气相沉积形成所述所述牺牲氧化层。

7.如权利要求1所述的闪存器件的制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化层由正硅酸乙酯以低压化学气相淀积工艺形成。

8.如权利要求1所述的闪存器件的制作方法，其特征在于，

所述复合介质层包括在所述浮栅层上依次层叠的第二氧化硅层、氮化硅层和第一氧化硅层。

9.如权利要求8所述的闪存器件的制作方法，其特征在于，刻蚀去除暴露出的所述控制栅层及其下方的所述复合介质层具体包括：

干法刻蚀暴露出的所述控制栅层及其下方的所述第一氧化硅层形成沟槽，所述沟槽停止在所述氮化硅层上；

湿法刻蚀去除所述氮化硅层和所述第二氧化硅层，所述沟槽向下刻蚀停止在所述浮栅层表面。

10.如权利要求9所述的闪存器件的制作方法，其特征在于，刻蚀去除暴露出的所述控制栅层及其下方的所述复合介质层之后还包括：

形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述沟槽暴露出的所述复合介质层的侧面、所述控制栅层的侧面以及部分所述侧墙的侧面以及所述沟槽底部的所述浮栅层表面；

刻蚀所述沟槽正下方的所述第一隔离层、所述浮栅层和所述栅介质层，所述沟槽向下刻蚀停止在所述衬底的表面；

形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述沟槽底部的衬底，还覆盖所述沟槽暴露出的栅介质层、浮栅层的侧面以及所述第一隔离层和所述侧墙的侧面；

形成字线，所述字线填充所述沟槽以及所述侧墙之间的空隙。