[发明专利]一种转移高质量的金属卤化物钙钛矿薄膜及纳米结构的方法

权利要求书

1.一种转移高质量的金属卤化物钙钛矿薄膜及纳米结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，利用刻蚀技术制造有纳米结构的凹型硅片模具；

S2，获得钙钛矿前驱液，在钙钛矿前驱液中加入占钙钛矿摩尔比为20％～100％的有机长链胺基分子，获得钙钛矿溶液；

S3，利用旋涂法在平整的PDMS上旋涂钙钛矿溶液，形成钙钛矿薄膜；

S4，将形成有钙钛矿薄膜的PDMS压到凹型硅片上，施加一定压强后从模具上剥离，使钙钛矿薄膜形成凹型硅片模具上的纳米结构；

S5，将步骤S3带有钙钛矿薄膜的PDMS压到目标衬底上，施加一定压强后将PDMS剥离，从而使钙钛矿薄膜转移到目标衬底上；

或者，将步骤S4带有钙钛矿纳米结构的PDMS压到目标衬底上，施加一定压强后将PDMS剥离，从而使钙钛矿纳米结构转移到目标衬底上。

2.根据权利要求1所述的一种转移高质量的金属卤化物钙钛矿薄膜及纳米结构的方法，其特征在于：步骤S1中凹型硅片模具中的纳米结构为所需尺寸的点阵、条纹或图案。

3.根据权利要求1所述的一种转移高质量的金属卤化物钙钛矿薄膜及纳米结构的方法，其特征在于：步骤S2中的有机长链胺基分子为苯乙基碘化胺、苯甲基碘化胺、4-氟苯甲基碘化胺、丁基碘化胺、苯乙基溴化胺、苯甲基溴化胺、丁基溴化胺和苯乙基氯化胺中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种转移高质量的金属卤化物钙钛矿薄膜及纳米结构的方法，其特征在于：步骤S4中施加的压强大于20kPa，剥离速度小于1cm/s。

5.根据权利要求1所述的一种转移高质量的金属卤化物钙钛矿薄膜及纳米结构的方法，其特征在于：步骤S5中的目标衬底为有机层、钙钛矿层、柔性或弯曲的曲面。

6.根据权利要求1所述的一种转移高质量的金属卤化物钙钛矿薄膜及纳米结构的方法，其特征在于：步骤S5中施加的压强大于2kPa，剥离速度小于10cm/s。

7.根据权利要求1所述的一种转移高质量的金属卤化物钙钛矿薄膜及纳米结构的方法，其特征在于：步骤S5中的目标衬底可以为已经转移过钙钛矿纳米结构的衬底，可以再将不同组分和/或不同图案的钙钛矿纳米结构交替排布在一起。

8.根据权利要求7所述的一种转移高质量的金属卤化物钙钛矿薄膜及纳米结构的方法，其特征在于：通过在目标衬底上交替排布蓝光钙钛矿条纹和红光钙钛矿条纹，可实现白光发射。