[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括基底、间隔设置在所述基底上的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之上的光电转换层，所述光电转换层的材料包括转角双层碘化铅纳米片，所述转角双层碘化铅纳米片两层之间的相对旋转角度为0~60°；所述转角双层碘化铅纳米片的能带中含有一个自陷态能级。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述基底选自硅与氧化硅复合基底、聚二甲基硅氧烷基底、聚酰亚胺基底、蓝宝石基底、石英玻璃基底、云母基底中的一种。

3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极同时选自金电极或铂电极。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极之间的间距为1~50μm。

5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述转角双层碘化铅纳米片的径向尺寸为10~200μm，和/或，所述转角双层碘化铅纳米片的厚度为10~500nm。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供基底；

将第一电极和第二电极间隔设置在所述基底上；

将光电转换层设置在所述第一电极和第二电极上，得到所述光电探测器；

其中，所述光电转换层的材料包括转角双层碘化铅纳米片，所述转角双层碘化铅纳米片两层之间的相对旋转角度为0~60°；所述转角双层碘化铅纳米片的能带中含有一个自陷态能级；

或，

提供基底；

将第一电极和第二电极间隔设置在光电转换层上；

将所述间隔设置有第一电极和第二电极的光电转换层设置在所述基底上并使所述第一电极和第二电极与所述基底接触，得到所述光电探测器；

其中，所述光电转换层的材料包括转角双层碘化铅纳米片，所述转角双层碘化铅纳米片两层之间的相对旋转角度为0~60°； 所述转角双层碘化铅纳米片的能带中含有一个自陷态能级。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述将第一电极和第二电极间隔设置在所述基底上的步骤具体包括：

利用掩膜版在所述基底上依次间隔蒸镀第一电极和第二电极。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述将第一电极和第二电极间隔设置在光电转换层上的步骤具体包括：

利用显微对准系统将掩膜版和转角双层碘化铅纳米片对准，在转角双层碘化铅纳米片上依次间隔蒸镀第一电极和第二电极。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述转角双层碘化铅纳米片的制备方法包括步骤：

将碘化铅粉末加入到水中，在第一预设温度下加热第一预设时间，得到碘化铅过饱和溶液；

将所述碘化铅过饱和溶液在第二预设温度下降温第二预设时间，得到纳米碘化铅悬浊液；

将所述纳米碘化铅悬浊液转移到基片上，静置后，得到所述转角双层碘化铅纳米片。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度为50~180℃，所述第一预设时间为20~180min；所述第二预设温度为0~50℃，所述第二预设时间为10~60min；所述基片的温度为5~30℃，所述静置的时间为5~3600s。