[发明专利]一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法

说明书

本发明公开一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法，所述改善金属残留的TFT阵列基板结构，包括TFT侧玻璃基板，所述玻璃基板上设有带有凹槽的缓冲层，所述凹槽的的形状为上大下小的梯形状，所述缓冲层的凹槽内沉积有GE金属层，所述GE金属层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。本发明在玻璃基板上增加一层带有凹槽设计的缓冲层，使GE金属层走线沉积在缓冲层之内，采用CMP工艺，将缓冲层表面进行平坦化处理，使GE金属层与缓冲层处于共平面，排除了GE Taper的存在，消除了因GE Taper引起的金属残留，从而达到提高产品良率的目的。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法。

背景技术

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT-LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。

现阶段随着市场LCD显示屏窄边框需求趋势明显，且低成本、高分辨率IGZO面板逐渐成为开发的热点，但随着分辨率的提升，IGZO TFT器件的Short chanel（短沟道）设计对制程要求越来越高，金属层线宽线距及精度、金属层与非金属层膜质的选择/搭配直接影响到TFT器件电学特性的稳定性

而制程方面，现有的TFT阵列基板的金属层蚀刻方式主要以湿刻(Mo/Al/Mo为例)和干刻(Ti/Al/Ti为例)为主，考虑到工艺成本、金属线CD大小精度、TFT器件Short chanel设计及不同金属/无机膜层搭配等种种设计需求，常会以Ti/Al/Ti作为SD层的金属，但实际量产过程中会发现，在GE层Taper的侧面处会极易出现一些SD金属残留，会造成后制程膜层堆叠覆盖性不佳和相邻SD金属线的短路现象，最终影响产品的良率。除目前制程中的干蚀刻工艺需要继续提高以外，实际上GE Taper（GE金属经蚀刻后侧面金属层的角度）偏大往往是造成SD金属残留的主要制程原因，而减缓GE Taper仍然是制程上需要攻克的难点，目前仍未有所改善。因此，在现有的制程工艺能力基础上，如何避免SD层金属残留成为了技术关键。

发明内容

本发明旨在提供一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法，以现有设计的光罩及制程工艺，通过增加一层缓冲层来避免因GE Taper引起的金属残留，从而达到提高产品良率的目的。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种改善金属残留的TFT阵列基板结构，其包括TFT侧玻璃基板，所述玻璃基板上设有带有凹槽的缓冲层，所述凹槽的的形状为上大下小的梯形状；所述缓冲层的凹槽内沉积有GE金属层，所述GE金属层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。

进一步的，所述缓冲层和GE金属层的上表面齐平。

所述缓冲层通常选用SiOx，不仅可应用于平坦化玻璃表面，且在特定区域Pattern出对应的凹槽形状。

所述GE金属层具有低电阻率，可选用铝/钼/钛/镍/铜/等导电性优良金属以及合金，如Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。

所述GI绝缘层是具有较大介电常数的绝缘层，由SiOx或SiNx材料成型。

所述PV绝缘层是具有较大介电常数的绝缘层，由SiOx或SiNx材料成型。

一种改善金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，包括以下步骤：

1）在玻璃基板上通过化学气相沉积法形成缓冲层；

2）通过GE光照对缓冲层进行弱曝，使缓冲层形成上大下小的凹槽模型，

3）在缓冲层的凹槽内沉积GE金属层，