[发明专利]蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、有机半导体元件的制造方法及有机EL显示器的制造方法

权利要求书

1.一种蒸镀掩模，其固定于框架而使用，所述蒸镀掩模将具有与待蒸镀制作的图案相对应的多个树脂掩模开口部的树脂掩模和具有金属掩模开口部的金属掩模以所述树脂掩模开口部与所述金属掩模开口部重合的方式层叠而成，

所述金属掩模在所述树脂掩模的不与所述树脂掩模开口部重合的位置具有部分降低所述金属掩模的刚性的1个或多个刚性调整部，所述刚性调整部是贯通所述金属掩模的贯通孔、或设置于金属掩模的凹部。

2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，将从该金属掩模侧俯视假设不具有所述刚性调整部的所述金属掩模时的金属掩模有效区域的面积设为100％时，从所述金属掩模侧俯视所述蒸镀掩模时所述刚性调整部的开口区域的面积的总和为3％以上。

3.根据权利要求2所述的蒸镀掩模，其中，1个所述刚性调整部的开口面积小于1个所述金属掩模开口部的开口面积。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，1个所述刚性调整部的开口宽度小于1个所述金属掩模开口部的开口宽度。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，从所述金属掩模侧俯视所述蒸镀掩模时，所述刚性调整部位于包围所述金属掩模开口部的位置。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，存在多个所述金属掩模开口部，

从所述金属掩模侧俯视所述蒸镀掩模时，所述刚性调整部位于邻接的所述金属掩模开口部间的任意位置。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述金属掩模的厚度为5μm以上且35μm以下的范围内。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述金属掩模的截面形状为向蒸镀源侧扩大的形状。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述树脂掩模的厚度为3μm以上且小于10μm的范围内。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述树脂掩模的截面形状为向蒸镀源侧扩大的形状。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述树脂掩模的截面形状为向外凸的弯曲形状。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述树脂掩模的热膨胀系数为16ppm/℃以下。

13.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述金属掩模开口部的开口空间通过桥分区。

14.一种带框架的蒸镀掩模，其在框架上固定蒸镀掩模而成，

所述蒸镀掩模是权利要求1至13中任一项所述的蒸镀掩模。

15.根据权利要求14所述的带框架的蒸镀掩模，其在所述框架上固定多个所述蒸镀掩模而成。

16.一种有机半导体元件的制造方法，该方法包括使用蒸镀掩模在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的蒸镀图案形成工序，

在所述蒸镀图案形成工序中使用的所述蒸镀掩模是所述权利要求1至13中任一项所述的蒸镀掩模。

17.一种有机EL显示器的制造方法，

其使用通过权利要求16所述的有机半导体元件的制造方法制造的有机半导体元件。