[发明专利]一种IBC结构的钙钛矿太阳能电池

权利要求书

1.一种IBC结构的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电池自上而下依次包括：正面高透玻璃、正面TCO层、钝化层、钙钛矿吸光层，在所述钙钛矿吸光层下方，为交替设置的电子传输层和空穴传输层，形成载流子传输层；在所述载流子传输层下方依次为电极缓冲层、背面TCO层；在所述背面TCO层下方对应载流子传输层为金属电极层；其中，所述载流子传输层呈叉指状分布且相互绝缘隔离，所述载流子传输层通过第一和第二两套掩膜版实现叉指状分布。

2.根据权利要求1所述一种IBC结构的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，第一掩膜版包含A区，A区为电子传输层区，每个A区宽度相同；第二掩膜版包含B区，B区为空穴传输层区，每个B区宽度相同；

第一掩膜版与第二掩膜版结构相同，位置相对，在第一掩膜版上，B区的位置为镂空，在第二掩膜版上，A区的位置为镂空，形成A区与B区相交替设置的结构；

在A区和B区中间为C区，所述掩膜版包含C区，第一掩膜版上对应C区的位置镂空，第二掩膜版上对应C区的位置镂空， C区为绝缘隔离区，每个C区宽度相同。

3.根据权利要求1所述一种IBC结构的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述载流子传输层为通过近空间升华法或者热蒸发法或者喷涂法，基于所述A、B两套掩膜版制备得到电子传输层和空穴传输层。

4.根据权利要求1所述一种IBC结构的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述载流子传输层通过以下方式制得：

S01利用第一和第二两套掩膜版，通过近空间升华法、热蒸发法、喷涂法分别制备5-100nm的电子传输层和5-100nm的空穴传输层，所述电子传输层和空穴传输层成叉指状分布；

S02利用第一掩膜版版在电子传输层上制备电极缓冲层；

S03利用第二掩膜版在空穴传输层上制备电极缓冲层；

S04通过反应式等离子镀膜法、物理气相沉积法、溅射法在电子缓冲层和空穴传输层上分别溅射50-90nm的背面TCO层。

5.根据权利要求1所述一种IBC结构的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钝化层采用苯乙胺碘PEAI制得。