[发明专利]一种防电流倒灌供电电路及系统在审

专利信息
申请号: 202210443513.4 申请日: 2022-04-25
公开(公告)号: CN114759539A 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 王熠;李岩;赵现普;张莉 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00;H02M3/155;H02M3/158
代理公司: 北京市万慧达律师事务所 11111 代理人: 劳奕琴
地址: 215168 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流 倒灌 供电 电路 系统
【说明书】:

发明公开了一种防电流倒灌供电电路及系统,所述电路包括电源输入模块、控制信号输入模块、推挽模块、防电流倒灌模块、稳压输出模块,所述控制信号输入模块的输出端与所述推挽模块的输入端连接,所述推挽模块的输出端与所述防电流倒灌模块的第一输入端连接;所述电源输入模块的输出端与所述防电流倒灌模块的第二输入端连接,所述防电流倒灌模块的输出端与所述稳压输出模块的输入端连接。本发明的所述防电流倒灌供电电路及系统能够消除电路电流倒灌的风险,同时现有技术的控制电路中采用了两种控制电源,而本方案采用一种电源即可,减少了电源数量。

技术领域

本发明属于电子技术领域,尤其涉及一种防电流倒灌供电电路及系统。

背景技术

目前,随着信息技术的发展,服务器的应用越来越广泛,而USB接口是最为常用的外设接口,现有的技术中USB接口电路有电流倒灌的风险。

现有技术中的P5V_USB电源控制电路,通常工作原理为:将接收到的脉冲宽度调制(PWM,Pulse Width Modulation)控制信号通过两个N沟道MOS管,转换到P沟道MOS管的栅极实现对P沟道MOS管的导通和关断的控制,进而实现对P5V_USB电源的输出和关断的控制。其中两个N沟道的MOS管采用P12V_STBY电源进行供电驱动,P沟道MOS管的源极为P5V_STBY,漏极为P5V_STBY_USB为USB设备的供电电源。

现有技术驱动电路中存在P5V_STBY_USB电源通过P沟道MOS管自身的体二极管回路电流倒灌到P5V_STBY电源的风险,同时现有技术的控制电路中采用了两种控制电源。

发明内容

为了解决现有技术的问题,本发明提供了一种防电流倒灌供电电路及系统。本发明的所述防电流倒灌供电电路及系统能够消除电路电流倒灌的风险,同时现有技术的控制电路中采用了两种控制电源,而本方案采用一种电源即可,减少了电源数量。

所述技术方案如下:

第一方面,本发明提供了一种防电流倒灌供电电路,所述电路包括电源输入模块、控制信号输入模块、推挽模块、防电流倒灌模块、稳压输出模块,

所述控制信号输入模块的输出端与所述推挽模块的输入端连接,所述推挽模块的输出端与所述防电流倒灌模块的第一输入端连接;所述电源输入模块的输出端与所述防电流倒灌模块的第二输入端连接,所述防电流倒灌模块的输出端与所述稳压输出模块的输入端连接;

所述推挽模块包括第一三极管、第二三极管,所述第一三极管的集电极与所述防电流倒灌模块的第二输入端连接,所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的发射极连接,所述第一三极管的基极与所述控制信号输入模块的输出端连接;所述第二三极管的发射极与所述防电流倒灌模块的第一输入端连接,所述第二三极管的集电极接地,所述第二三极管的基极与所述控制信号输入模块的输出端连接;

所述防电流倒灌模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管,所述第一MOS管的漏极与所述稳压输出模块的输入端连接,所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接,所述第一MOS管的栅极与所述第三MOS管的漏极连接;所述第二MOS管的漏极与所述第一三极管的集电极连接,所述第二MOS管的栅极与所述第三MOS管的漏极连接;所述第三MOS管的源极接地,所述第三MOS管的栅极与所述推挽模块的输出端连接;

所述第一三极管的基极作为所述推挽模块的输入端,所述第一三极管的发射极作为所述推挽模块的输出端;所述第三MOS管的栅极作为所述防电流倒灌模块的第一输入端,所述第二MOS管的漏极作为所述防电流倒灌模块的第二输入端,所述第一MOS管的漏极作为所述防电流倒灌模块的输出端。

在一些实施例中,所述防电流倒灌模块还包括第一电阻、第二电阻,

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