[发明专利]涂布设备的缓冲装置和涂布设备在审
申请号: | 202210443792.4 | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN114669447A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 朱小冬;谈太奇;陈超爱;卢超;蒋浩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | B05C11/10 | 分类号: | B05C11/10;G03F7/16 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;宋海斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布设 缓冲 装置 | ||
本申请实施例提供了一种涂布设备的缓冲装置和涂布设备,缓冲装置包括:缓冲桶、进液管道和出液管道。缓冲桶具有相对设置的第一端壁和第二端壁。进液管道的出口,位于缓冲桶内并朝向第一端壁。进液管道的出口与第一端壁之间的距离小于进液管道的出口与第二端壁之间的距离。出液管道的入口,位于缓冲桶内并靠近第二端壁。进液管道的出口与出液管道的入口之间的距离不小于设计距离。本申请实施例中的光刻胶从进液管道的出口注入缓冲桶时在压力的作用下会先朝向第一端壁喷出,避免与出液管道的入口接触,进液管道的出口与出液管道的入口之间距离较远,减少混合在即将从出液管道的入口流出的光刻胶内的气泡。
技术领域
本申请涉及半导体设备制备技术领域,具体而言,本申请涉及一种涂布设备的缓冲装置和涂布设备。
背景技术
半导体设备在制作过程的中需要使用光刻工艺,光刻工艺中涉及到涂胶单元,需要使用涂布设备对半导体设备(如晶片等)进行涂布。
涂布制程具体是通过加压装置对液体光刻胶进行加压,将光刻胶输送至缓冲装置,再从缓冲装置的出液管道输出至涂胶机进行涂胶。由于加压装置大多是使用高压气体对液体的光刻胶进行加压,导致光刻胶内容易产生气泡,进而导致涂过程中产生压力报警,降低了半导体设备的良品率。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种涂布设备的缓冲装置和涂布设备,用以解决现有技术存在的光刻胶内容易产生气泡,进而导致涂胶过程中产生压力报警,降低了半导体设备的良品率的技术问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种涂布设备的缓冲装置,包括:缓冲桶、进液管道和出液管道;缓冲桶具有相对设置的第一端壁和第二端壁;
进液管道的出口,位于缓冲桶内并朝向第一端壁;进液管道的出口与第一端壁之间的距离小于进液管道的出口与第二端壁之间的距离;
出液管道的入口,位于缓冲桶内并靠近第二端壁;进液管道的出口与出液管道的入口之间的距离不小于设计距离。
可选地,缓冲桶还包括:侧壁;侧壁的两端分别与第一端壁和第二端壁连接;第二端壁具有进液孔和出液孔;
进液管道穿设于进液孔,进液管道的出口与侧壁的第一位置接触;
出液管道穿设于出液孔。
可选地,进液管道包括第一子进液管道,第一子进液管道位于缓冲桶内,与侧壁之间具有第一夹角;
第一夹角不小于10度不大于30度。
可选地,第一位置到侧壁靠近第二端壁的一端的距离,与侧壁的两端之间的距离之比,不小于2/3且不大于3/4。
可选地,缓冲桶的第一端壁到第二端壁之间的距离为300毫米至400毫米。
可选地,缓冲桶的体积为0.7升至1.2升。
可选地,缓冲装置还包括:第一液位传感器和第二液位传感器;
第一液位传感器与第二液位传感器,都位于第一位置与第一端壁之间,沿第一方向依次设置于侧壁上;第一方向为从第二端壁朝向第一端壁的方向。
可选地,第一液位传感器到侧壁靠近第二端壁的一端的距离,与侧壁的两端之间的距离之比,不小于2/3且不大于3/4。
可选地,缓冲装置还包括:排气管道;
排气管道的进气口开设于第一端壁上。
第二个方面,本申请实施例还提供一种涂布设备,包括:加压装置、供液装置和如上述第一个方面提供的任一缓冲装置;
加压装置与供液装置通过管道连接,供液装置与缓冲装置的进液管道的入口连接。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括:
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